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Very high deposition rate µc-Si:H absorber layer deposition using a plasma excitation frequency of 140 MHz in combination with high process pressures
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
Proceedings of 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris, Frankreich, 30.09.-04.10.2013
Schlagwörter
-
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2013
Seiten
2573-2579
Referiert
Nein
Open Access
Nein
Berichtsjahr
2013
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