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Cu barrier properties of very thin Ta and TaN films
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC), 2014 IEEE International, 20-23 May 2014, San Jose, CA
Schlagwörter
Cu diffusion barrier, bias temperature stress, tantalum, TaN, triangular voltage swepp
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2014
Seiten
167-170
Referiert
Ja
Open Access
Nein
ISBN
9781479950164
Url/Urn/Doi
Berichtsjahr
2014
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