Low-Voltage High-Frequency Vertical Organic Transistors (HFOE)
Projektpartner:
Institut für Angewandte Photophysik (iapp),
Professur für Schaltungstechnik und Netzwerktheorie (CCN)
Ziel des Projektes ist die Entwicklung von neuartigen organischen Feldeffekttransistoren mit verbesserter Kanalmobilität und verringerter Betriebsspannung. Der Fokus des IHM liegt dabei bei der Abscheidung und Charakterisierung vom hoch-epsilon Oxiden. Hier kommt das Verfahren Atomlagenabscheidung (ALD) zum Einsatz, welches eine porenfreie und großflächig homogene Schichtherstellung ermöglicht. Darüber hinaus erlaubt das Verfahren eine Schichtdickenkontrolle im sub-nanometer-Bereich sowie potentiell die Abscheidung bei niedrigen Temperaturen.
Das Projekt ist gefördert durch die Deutsche Forschungsgesellschaft (DFG). Projektpartner sind das Institut für Angewandte Photophysik (iapp) und die Professur für Schaltungstechnik und Netzwerktheorie (CCN), beide Teil der TU Dresden.
Im Projekt stellt das IHM, unter Verwendung von ALD-Versuchsanlagen mit In-situ-Messtechnik, dünne Schichten her. Weiterhin beteiligt sich das Institut an der elektrischen und allgemeinen Dünnschichtcharakterisierung und ermöglicht die Probenhandhabung unter inerten Bedingungen.
Weitere Informationen: Dr. Christoph Hoßbach; Dr.-Ing. Matthias Albert