2017

• Structure, interface abruptness and strain relaxation in self-assisted grown InAs/GaAs nanowiresFrigeri, C., Scarpellini, D., Fedorov, A., Bietti, S., Somaschini, C., Grillo, V., Esposito, L. & 4 weitere, 15 Feb. 2017, in: Applied Surface Science : a Journal Devoted to Applied Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces. 395, S. 29-36, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Phase-field simulations of faceted Ge/Si-crystal arrays, merging into a suspended filmSalvalaglio, M., Bergamaschini, R., Backofen, R., Voigt, A., Montalenti, F. & Miglio, L., 2017, in: Applied Surface Science : a Journal Devoted to Applied Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces. 391, Part A, S. 33-38, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel

2016

• Thin-film growth dynamics with shadowing effects by a phase-field approachSalvalaglio, M., Backofen, R. & Voigt, A., 23 Dez. 2016, in: Physical review. B. 94, 23, 11 S., 235432Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Enhancing elastic stress relaxation in SiGe/Si heterostructures by Si pillar neckingIsa, F., Salvalaglio, M., Dasilva, Y. A. R., Jung, A., Isella, G., Erni, R., Timotijevic, B. & 4 weitere, 31 Okt. 2016, in: Applied physics letters. 109, 18, 5 S., 182112Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Reduced-Pressure Chemical Vapor Deposition Growth of Isolated Ge Crystals and Suspended Layers on Micrometric Si PillarsSkibitzki, O., Capellini, G., Yamamoto, Y., Zaumseil, P., Schubert, M. A., Schroeder, T., Ballabio, A. & 4 weitere, 5 Okt. 2016, in: ACS applied materials & interfaces. 8, 39, S. 26374-26380, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• From plastic to elastic stress relaxation in highly mismatched SiGe/Si heterostructuresIsa, F., Salvalaglio, M., Dasilva, Y. A. R., Jung, A., Isella, G., Erni, R., Niedermann, P. & 3 weitere, 1 Aug. 2016, in: Acta materialia. 114, S. 97-105, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Continuum modelling of semiconductor heteroepitaxy: an applied perspectiveBergamaschini, R., Salvalaglio, M., Backofen, R., Voigt, A. & Montalenti, F., 19 Mai 2016, in: Advances in Physics X. 1, 3, S. 331-367, 37 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
• Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substratesBergamaschini, R., Salvalaglio, M., Scaccabarozzi, A., Isa, F., Falub, C. V., Isella, G., von Kaenel, H. & 2 weitere, 15 April 2016, in: Journal of crystal growth. 440, S. 86-95, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scaleTaboada, A. G., Meduna, M., Salvalaglio, M., Isa, F., Kreiliger, T., Falub, C. V., Meier, E. B. & 4 weitere, 7 Feb. 2016, in: Journal of applied physics. 119, 5, 12 S., 055301Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si HeterostructuresIsa, F., Salvalaglio, M., Dasilva, Y. A. R., Meduna, M., Barget, M., Jung, A., Kreiliger, T. & 8 weitere, 3 Feb. 2016, in: Advanced materials. 28, 5, S. 884-888, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel