Spezielle Ausstattung
Spezielle Ausstattung
Anlagen zur Identifizierung elektrisch aktiver Defekte in Halbleitern: DLTS, CV, IV, Hall-Effekt; optische Messplätze zur Bestimmung von Photolumineszenz (Zeitauflösung bis 1 ns) und Ramanspektren bei variablen Temperaturen und verschiedenen Laseranregungen; Rasterkraftmikroskope zur Bestimmung von Oberflächentopologien und Ladungsverteilungen; Fourierinfrarotspektrometer zum Nachweis von lokalen Schwingungsmoden und elektronischen Übergängen an Defekten in Halbleitern; Röntgendiffraktometer zur hochaufgelösten Eigenspannungsmessung und Versetzungsdichtebestimmung; Bedampfungsanlagen für HV- und UHV-Bedingungen; Anlagen zur Züchtung oxidischer Kristalle und zur Wärmebehandlung; Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop mit Detektionssystemen zur (zeitaufgelösten) Messung der Kathodolumineszenz, zur Elementidentifizierung sowie zur Orientierungs- und Phasenanalyse an Festkörpern, Ausstattung mit Kryo- und Zug-Druck-Modul.