1996-2000
Short-wavelength photoluminescence of SiO2 layers implanted with high doses of Si+, Ge+, and Ar+ ions
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
SEMICONDUCTORS
Jahrgang/Erscheinungsjahr
1998
Band/Vol.
32
Heftnummer/Issue
4
Seiten
392-396
Referiert
Nein
ISSN
1063-7826
Url/Urn/Doi
Berichtsjahr
1998
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