Rückstreuelektronenbeugung im REM
Zielstellung:
Im Rasterelektronenmikroskop trifft ein Elektronenstrahl auf das zu untersuchende Objekt. Die vom Elektronenstrahl herausgelösten Elektronen dienen zur Abbildung von Objekteigenschaften (Topografie; Material, Kristallstörungen; Kristallorientierung ...). Eine Reihe von Erscheinungen lassen sich erklären, wenn die „bewegten Elektronen“ im Kristallgitter als Welle beschrieben werden. Im Versuch lernen Sie unter anderem die Electron Back Scattered Diffraction – Technik (EBSD) zur Orientierungsbestimmung von Kristalliten im Rasterelektronenmikroskop kennen. Mit diesem Verfahren untersuchen Sie die Elektronenbeugung im Kristallgitter, ermitteln die Kristallorientierung und beschäftigen sich mit der Darstellung und Auswertung solcher Orientierungsdaten.
Experimente:
Sie untersuchen die Abbildung verschiedener Objekteigenschaften im REM. Dabei erfassen Sie speziell die Abbildungsmöglichkeiten, die durch die Elektronenbeugung verursacht sind.
- An einem Einkristall messen Sie speziell den Zusammenhang zwischen Elektronenenergie (Elektronenwellenlänge) und Braggwinkel der rückgestreuten Elektronen.
- Sie beschäftigen sich mit der grafischen Darstellung von Raumrichtungen in der Ebene (Polfiguren) und der Auswertung von Orientierungsdaten.
- An einem Polykristall bestimmen Sie die Orientierung benachbarter Kristallite und werten diese aus.
Beginn: 8:00 Uhr
Ort: REC, B2
Dauer: ca. 8 h
Betreuer : N.N.
Literatur:
/1/ Randle, The measurement of grain boundary geometry, Institute of Physics, Bristol and Philadelphia, 1993, Kap.2: S.17-29; Kap.4: S.63-89
/2/ Reimer, Scanning Electron Microscopy