Veröffentlichte Journal-Beiträge 101 bis 107 von 107 EinträgenHübner, R.; Reiche, R.; Hecker, M.; Mattern, N.; Hoffmann, V.; Wetzig, K.; Heuer, H.; Wenzel, C.; Engelmann, H.-J.: Void formation in the Cu layer during thermal treatment of SiNx/Cu/Ta73Si27/SiO2/Si systems. In: Cryst. Res. Technol. 40, No. 1/2 (2005), S. 135–142Hübner, R.; Hecker, M.; Mattern, N.; Hoffmann, V.; Wetzig, K.; Heuer, H.; Wenzel, C.; Engelmann, H.-J.; Gehre, D.; Zschech, E.: Effect of nitrogen content on the degradation mechanisms of thin Ta–Si–N diffusion barriers for Cu metallization. In: Thin Solid Films 497 (2006) in press (2005)Bartha, J. W.; Wenzel, C.: Ultradünne funktionale Schichten für die Mikroelektronik und andere Anwendungen. In: Dresdner Transferbrief “Nanotechnologie” 2/05 (2005), S. 8Zahn, W.; Hildebrand, D.; Menzel, S.; Oswald, S.; Heuer, H.: Characterisation of thin Ta-Si-Nx layers of different nitrogen content using XPS, UPS and STM. In: Applied Surface Science 252 (2005) (2005), S. 89–93Heuer, H.; Wenzel, C.; Reitz, D.; Herrmann, D.: Schutzschichten zur Verkapselung funktioneller Bauelemente. In: Dresdner Transferbrief „ Energietechnik“ 1.05 (2005), S. 4Novodvorski, O. A.; Chramova, O. D.; Wenzel, C.; Bartha, J. W.: Razmernye effekty statitsheskoi provodimosti v tonkych plyonkach tantala. In: Shurnal Technitsheskoi Fiziki Nr. 6 (2005) (2005), S. 42–45Novodvorski, O. A.; Chramova, O. D.; Panchenko, V. Ya.; Gorbatenko, L. S.; Butorina, Ye. A.; Wenzel, C.; Bartha, J. W.: Optical and structural characteristics of ZnO films doped with gallium. In: Proceed. SPIE, 2005, in press (2005)Zurück 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Diese Informationen werden vom Vorgängersystem FIS bereitgestellt.