Veröffentlichungen Halbleitertechnik 2013 21 bis 23 von 23 EinträgenStrobel, C.; Merkel, U.; Leszczynska, B.; Leszczynski, S.; Kuske, J.; Albert, M.; Bartha, J.W.: Very high deposition rate µc-Si:H absorber layer deposition using a plasma excitation frequency of 140 MHz in combination with high process pressures. In: Proceedings of 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Paris, Frankreich, 30.09.-04.10.2013 (2013), S. 2573–2579Knaut, M.; Benner, F.; Hoßbach, C.; Geidel, M.; Dirnstorfer, I.; Albert, M.; Bartha, J.W.: In-situ Growth Control für AlxTiyOz Films and Laminates. In: 13th AVS conference on Atomic Layer Deposition, San Diego, CA, USA, 28.07.-31.07.2013 (2013)Dirnstorfer, D.; Mähne, H.; Mikolajick, T.; Knaut, M.; Albert, M.; Dubnack, K.: Atomic layer deposition of anatase TiO2 on porous electrodes for dye-sensitized solar cells. In: J. Vac. Sci. Technol. A31, 01A116 (2013) (2013)Zurück 1 2 3 Diese Informationen werden vom Vorgängersystem FIS bereitgestellt.