Publikationen

2026

• Readout Current in HZO-Based Bilayer FTJs: Physical Mechanisms and Design InsightSegatto, M., Puglisi, F. M., Driussi, F., Lizzit, D., Carpentieri, L., Slesazeck, S., Mikolajick, T. & 1 weitere, 1 Mai 2026, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 73, 5, S. 2723-2729, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Efficient In-Hardware Matrix–Vector Multiplication and Addition Exploiting Bilinearity of Schottky Barrier Transistors Processed on Industrial FDSOIMartinez, J. P., Bhattacharjee, N., He, Y., Galderisi, G., Sapui, B., Mannaa, S., O'Connor, I. & 4 weitere, 15 April 2026, in: Advanced electronic materialsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A Compendium of Logic Gates Based on Reconfigurable Three-Independent-Gate Transistors Realized in FDSOI HardwareMartinez, J. P., He, Y., Galderisi, G., Sessi, V., Bhattacharjee, N., Baars, P., Poenisch, K. & 6 weitere, 23 März 2026, in: Advanced electronic materialsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Technology Roadmap of Bioinspired Computing HardwareWang, S., Li, Z., Pei, M., Ren, Q., Deng, M., Ang, K. W., Ascoli, A. & 66 weitere, 17 März 2026, in: ACS nano. 20, 10, S. 8102-8163, 62 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
• Formation of a passivation layer via oxygen plasma oxidation for GaN-on-GaN regrowthBilke, M. L., Gärtner, J., Großer, A., Mikolajick, T., Ruf, A. & Schmult, S., 12 März 2026, in: Thin solid films. 839, 5 S., 140910Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Junctionless Silicon Nanowire Transistors without the Use of Impurity DopingNagarajan, S., König, D., Ratschinski, I., Galderisi, G., Shams, S., Mikolajick, T., Hiller, D. & 1 weitere, 10 März 2026, in: ACS nano. 20, 9, S. 7508-7517, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Does a Morphotropic Phase Boundary Exist in Zr_xHf_1-xO₂-Based Thin Films?Vishnumurthy, P., Ganser, R., Kim, D. G., Jeon, I., Jung, C. H., Lim, H., Mikolajick, T. & 3 weitere, 5 März 2026, in: Advanced functional materials. 36, 19, 12 S., e22802Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Reversible and Controllable Transition Between Filamentary and Interfacial Resistive Switching in HfO₂-Based MemristorsWu, C., Shen, H., Schroedter, R., Peng, C., Hoffman, H., Slesazeck, S., Tetzlaff, R. & 2 weitere, 18 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 12, 4, e00644Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Exfoliated-MoS₂ Gradual Resistive Switching Devices as Artificial SynapsesFejzaj, D., Schroedter, R., Mikolajick, T. & Heinzig, A., 15 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 11 S., e00691Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Nitride Ferroelectric Domain Wall Memory for Next-Generation ComputingSchönweger, G., Dasenbrook, D., Kyoushi, N., Guido, R., Petraru, A., Mikolajick, T., Schröder, U. & 2 weitere, 4 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 12, 3, e00616Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel