Publikationen

2026

• Junctionless Silicon Nanowire Transistors without the Use of Impurity DopingNagarajan, S., König, D., Ratschinski, I., Galderisi, G., Shams, S., Mikolajick, T., Hiller, D. & 1 weitere, 10 März 2026, in: ACS nano. 20, 9, S. 7508-7517, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Does a Morphotropic Phase Boundary Exist in Zr_xHf_1-xO₂-Based Thin Films?Vishnumurthy, P., Ganser, R., Kim, D. G., Jeon, I., Jung, C. H., Lim, H., Mikolajick, T. & 3 weitere, 5 März 2026, in: Advanced functional materials. 36, 19, 12 S., e22802Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Reversible and Controllable Transition Between Filamentary and Interfacial Resistive Switching in HfO₂-Based MemristorsWu, C., Shen, H., Schroedter, R., Peng, C., Hoffman, H., Slesazeck, S., Tetzlaff, R. & 2 weitere, 18 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 12, 4, e00644Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Exfoliated-MoS₂ Gradual Resistive Switching Devices as Artificial SynapsesFejzaj, D., Schroedter, R., Mikolajick, T. & Heinzig, A., 15 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 11 S., e00691Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Nitride Ferroelectric Domain Wall Memory for Next-Generation ComputingSchönweger, G., Dasenbrook, D., Kyoushi, N., Guido, R., Petraru, A., Mikolajick, T., Schröder, U. & 2 weitere, 4 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 12, 3, e00616Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Ultra-Low Voltage Reconfigurable FETs in 22nm FDSOI Technology Enabling Dynamic Circuit Obfuscation for Embedded SecurityHe, Y., Holemadlu, A., Bhattacharjee, N., Galderisi, G., Sessi, V., Martinez, J., Wijvliet, M. & 12 weitere, 15 Jan. 2026, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Achieving a Dielectric Constant of 60 in Zr_xHf_1-xO₂: A Candidate for DRAM?Vishnumurthy, P., Ganser, R., Kersch, A., Mikolajick, T., Schroeder, U., Kim, D. G., Jung, C. H. & 1 weitere, 2026, 2026 IEEE International Memory Workshop, IMW 2026 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• A Low-Power 2-bit Full Adder realized with Three-Independent-Gate Reconfigurable FETsGalderisi, G., He, Y., Martinez, J. P., Bhattacharjee, N., Syamal, B., Havel, V., Sessi, V. & 2 weitere, 2026, ISCAS 2026 - 2026 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 2788-2792, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Impact of ALD Oxidant and Deposition Temperature on Electrical Characteristics of Al₂O₃/SiO₂/SiC MOS-CapacitorsManchineni, H. V., Wachowiak, A. & Mikolajick, T., 2026, Interface, Dielectrics and Ohmic Contact in SiC Power Devices. Trans Tech Publications Ltd, S. 21-28, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
• Three-Independent-Gate Reconfigurable Transistors in 22 nm FDSOI for in-Sensor Time-Domain Mixed-Signal ProcessingMartinez, J. P., He, Y., Galderisi, G., Grasso, R., Li, M. J. H., Qian, J., Cantatore, E. & 3 weitere, 2026, ISCAS 2026 - 2026 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 3007-3011, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband