Publikationen
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2025
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Kinetic Monte Carlo simulation reveals defect charge accumulation favoring ferroelectric phase formation in Hf1−xZrxO2 thin films, 14 Juni 2025, in: Journal of applied physics. 137, 22, 224102Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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A Vertical Memristive MoS2-exfoliated Device for Applications in Artificial Synapses, 13 Juni 2025, 2025 14th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies (MOCAST). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 4 S., 11083941Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Effect of HZO Thickness Scaling in the Bilayer Ferroelectric Tunnel Junction, 10 Juni 2025, in: ACS applied electronic materials. 7, 11, S. 5008–5017, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Demonstration of a Graphene Adjustable-Barriers Phototransistor with Tunable Ultra-High Responsivity, Juni 2025, in: Advanced optical materials. 13, 18, 2500344Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Edge of Chaos Theory Unveils the First and Simplest Ever Reported Hodgkin–Huxley Neuristor, Juni 2025, in: Advanced electronic materials. 11, 8, 2400789Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Reconfigurable Ge Transistors Enabling Adaptive Differential Amplifiers, Juni 2025, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 72, 6, S. 2868-2873, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Edge of Chaos Induces a Hopf Bifurcation in a Bio-Inspired Thermally-Activated Memristor Oscillator, 28 Mai 2025, 2025 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 1-5, 5 S., 11043813Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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ZrO2 Based Multilayered Stacks with Al2O3, Y2O3 or La2O3 Interlayers for SiC Power Devices, 14 Mai 2025, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 17, 19, S. 28789-28798, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Improved 2D charge carrier quantification workflow for scanning spreading resistance microscopy, Mai 2025, in: Microelectronics Reliability. 168, 115646Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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High-Performance Silicon Nanowire Reconfigurable Field Effect Transistors Using Flash Lamp Annealing, 25 März 2025, in: ACS applied electronic materials. 7, 6, S. 2284-2297, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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