Publikationen
675 Einträge
2023
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Enhanced Electrical Properties of Optimized Vertical Graphene-Base Hot Electron Transistors, 28 März 2023, in: ACS applied electronic materials. 5, 3, S. 1670–1675, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Reduced fatigue and leakage of ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors by thin alumina interlayers at the top or bottom interface, 19 März 2023, in: Nanotechnology. 34, 12, 10 S., 125703Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Band-to-band tunneling switches based on two-dimensional van der Waals heterojunctions, 1 März 2023, in: Applied Physics Reviews. 10, 1, 25 S., 011318Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
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Reliability Improvement from La2O3 Interfaces in Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Capacitors, März 2023, in: Advanced materials interfaces. 10, 8, 10 S., 2202151 Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Thermal Stability of the Ferroelectric Properties in 100 nm-Thick Al0.72Sc0.28N, 8 Feb. 2023, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 15, 5, S. 7030-7043, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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From Ferroelectric Material Optimization to Neuromorphic Devices, 3 Feb. 2023, in: Advanced materials. 35, 37, 22 S., 2206042Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
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Novel experimental methodologies to reconcile large- and small-signal responses of Hafnium-based Ferroelectric Tunnel Junctions, Feb. 2023, in: Solid-state electronics. 200, 200, 108569Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Dependence of reverse leakage on the edge termination process in vertical GaN power device, Jan. 2023, in: Semiconductor science and technology. 38, 1, 7 S., 015014Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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A highly reliable 1.8 V 1 Mb Hf0.5Zr0.5O2-based 1T1C FeRAM Array with 3-D Capacitors, 2023, 2023 International Electron Devices Meeting, IEDM 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 1-4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Atomic layer etching of nanowires using conventional reactive ion etching tool, 2023, in: Journal of Physics: Conference Series. 2443, 1, 012004Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Konferenzartikel
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