Publikationen
669 Einträge
2022
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Self-Driven Broadband Photodetectors Based on MoSe2/FePS3 van der Waals n-p Type-II Heterostructures, 9 März 2022, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 14, 9, S. 11927-11936, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Ferroelectric-based synapses and neurons for neuromorphic computing, 1 März 2022, in: Neuromorphic computing and engineering. 2, 1, 14 S., 012002Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Plasmonic 3D Self-Folding Architectures via Vacuum Microforming, 17 Feb. 2022, in: Small. 18, 7, 2105843Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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From Doping to Dilution: Local Chemistry and Collective Interactions of La in HfO 2, 3 Feb. 2022, in: Physica status solidi / Rapid research letters. 16, 10, 2100582Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Bioadhesion on Textured Interfaces in the Human Oral Cavity—An In Situ Study, 1 Feb. 2022, in: International journal of molecular sciences. 23, 3, 1157Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Erratum: A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films DOI: 10.1063/5.0078106), 24 Jan. 2022, in: Applied physics letters. Band 120Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Spezielle Publikationen/Beiträge > Korrekturen (Errata und Widerrufe)
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Status of Aluminum Oxide Gate Dielectric Technology for Insulated-Gate GaN-Based Devices, 21 Jan. 2022, in: Materials. 15, 3, 791Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
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A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films, 10 Jan. 2022, in: Applied physics letters. 120, 2, 022901Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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C-AND: Mixed Writing Scheme for Disturb Reduction in 1T Ferroelectric FET Memory, 10 Jan. 2022, in: IEEE Transactions on Circuits and Systems : a publication of the IEEE Circuits and Systems Society. 1, Regular Papers. 69, 4, S. 1595-1605, 11 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Raman Spectroscopy as a Key Method to Distinguish the Ferroelectric Orthorhombic Phase in Thin ZrO2-Based Films, 8 Jan. 2022, in: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 16, 4, S. 1-7, 7 S., 2100589Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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