Publikationen

2022

• Ferroelectric-based synapses and neurons for neuromorphic computingCovi, E., Mulaosmanovic, H., Max, B., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 1 März 2022, in:  Neuromorphic computing and engineering. 2, 1, 14 S., 012002Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Plasmonic 3D Self-Folding Architectures via Vacuum MicroformingYu, Y., Lorenz, P., Strobel, C., Zajadacz, J., Albert, M., Zimmer, K. & Kirchner, R., 17 Feb. 2022, in: Small. 18, 7, 2105843Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• From Doping to Dilution: Local Chemistry and Collective Interactions of La in HfO 2Szyjka, T., Baumgarten, L., Rehm, O., Richter, C., Matveyev, Y., Schlueter, C., Mikolajick, T. & 2 weitere, 3 Feb. 2022, in: Physica status solidi / Rapid research letters. 16, 10, 2100582Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Erratum: A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin films DOI: 10.1063/5.0078106)Lancaster, S., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 24 Jan. 2022, in: Applied physics letters. Band 120Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Spezielle Publikationen/Beiträge > Korrekturen (Errata und Widerrufe)
• Status of Aluminum Oxide Gate Dielectric Technology for Insulated-Gate GaN-Based DevicesCalzolaro, A., Mikolajick, T. & Wachowiak, A., 21 Jan. 2022, in: Materials. 15, 3, 791Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
• A multi-pulse wakeup scheme for on-chip operation of devices based on ferroelectric doped HfO2 thin filmsLancaster, S., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 10 Jan. 2022, in: Applied physics letters. 120, 2, 022901Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• C-AND: Mixed Writing Scheme for Disturb Reduction in 1T Ferroelectric FET MemoryDahan, M. M., Breyer, E. T., Slesazeck, S., Mikolajick, T. & Kvatinsky, S., 10 Jan. 2022, in: IEEE Transactions on Circuits and Systems : a publication of the IEEE Circuits and Systems Society. 1, Regular Papers. 69, 4, S. 1595-1605, 11 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Raman Spectroscopy as a Key Method to Distinguish the Ferroelectric Orthorhombic Phase in Thin ZrO2-Based FilmsMaterano, M., Reinig, P., Kersch, A., Popov, M., Deluca, M., Mikolajick, T., Boettger, U. & 1 weitere, 8 Jan. 2022, in: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 16, 4, S. 1-7, 7 S., 2100589Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• High-Performance Operation and Solder Reflow Compatibility in BEOL-Integrated 16-Kb HfO₂: Si-Based 1T-1C FeRAM Arrays: Si-Based 1T-1C FeRAM ArraysFrancois, T., Coignus, J., Makosiej, A., Giraud, B., Carabasse, C., Barbot, J., Martin, S. & 14 weitere, 1 Jan. 2022, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 69, 4, S. 2108-2114, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• MOx in ferroelectric memoriesSlesazeck, S., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Max, B., 1 Jan. 2022, Metal Oxides for Non-volatile Memory: Materials, Technology and Applications. Elsevier , S. 245-279, 35 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten