Publikationen
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2022
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Improvement of FTJ on-current by work function engineering for massive parallel neuromorphic computing, 2022, ESSCIRC 2022 - IEEE 48th European Solid State Circuits Conference, Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 137-140, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Influence of Interfacial Oxide Layers in Hf0.5Zr0.5O2based ferroelectric capacitors on reliability performance, 2022, 2022 IEEE International Memory Workshop (IMW). Dresden: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Interplay between charge trapping and polarization switching in BEOL-compatible bilayer Ferroelectric Tunnel Junctions, 2022, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 10, S. 593-599, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Optimizing nucleation layers for the integration of ferroelectric HZO on CVD-grown graphene, 2022, 2022 IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Physics-Based DC Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors, 2022, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 10, S. 416-423, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Polarization switching and AC small-signal capacitance in Ferroelectric Tunnel Junctions, 2022, ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Proceedings. Editions Frontieres, S. 340-343, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Pushing Sputtered HfO2-Based Ferroelectrics toward BEOL Compatibility, 2022, 2022 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC). Nanjing: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 21-24, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Reliability Study of 1T1C FeRAM Arrays With Hf0.5Zr0.5O Thickness Scaling, 2022, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 10, S. 778-783, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Robust Reconfigurable Field Effect Transistors Process Route Enabling Multi-VTDevices Fabrication for Hardware Security Applications, 2022, 2022 Device Research Conference, DRC 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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SPICE Compact Model for an Analog Switching Niobium Oxide Memristor, 2022, S. 1-4, 1 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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