Publikationen
668 Einträge
2022
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Surrogate-Based Modeling Techniques for Mapping Transistor Figures of Merit onto Compact Model Parameters, 2022, 2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW). 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Tunneling transport in WSe2-MoS2 heterojunction transistor enabled by a two-dimensional device architecture, 2022, 2022 Device Research Conference, DRC 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Unleashing the Potential of Integrated Ferroelectric Devices with Hafnium Oxide, 2022, 2022 Device Research Conference, DRC 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
2021
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Controlled Silicidation of Silicon Nanowires Using Flash Lamp Annealing, 14 Dez. 2021, in: Langmuir. 37, 49, S. 14284-14291, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Ferroelectric field-effect transistors based on HfO2: a review, 10 Dez. 2021, in: Nanotechnology. 32, 50, 502002Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
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Hole selective nickel oxide as transparent conductive oxide, 7 Dez. 2021, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films. 40, 1, 013409Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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20 Years of reconfigurable field-effect transistors: From concepts to future applications, Dez. 2021, in: Solid-state electronics. 2021, 186, 108036Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Demonstration of a p-Type Ferroelectric FET With Immediate Read-After-Write Capability, Dez. 2021, in: IEEE electron device letters. 42, 12, S. 1774-1777, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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The atomic and electronic structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2:La films, Dez. 2021, in: Journal of Science: Advanced Materials and Devices. 6, 4, S. 595-600, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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1T1C FeRAM Memory Array Based on Ferroelectric HZO With Capacitor Under Bitline, 19 Nov. 2021, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 10, S. 29-34, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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