Publikationen

2021

• Binary ferroelectric oxides for future computing paradigmsPark, M. H., Kwon, D., Schroeder, U. & Mikolajick, T., Nov. 2021, in: MRS bulletin. 46, 11, S. 1071-1079, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
• Ferroelectric transistors with asymmetric double gate for memory window exceeding 12 V and disturb-free readMulaosmanovic, H., Kleimaier, D., Dünkel, S., Beyer, S., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 14 Okt. 2021, in: Nanoscale. 13, 38, S. 16258-16266, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Intrinsic Nature of Negative Capacitance in Multidomain Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ‐Based Ferroelectric/Dielectric HeterostructuresHoffmann, M., Gui, M., Slesazeck, S., Fontanini, R., Segatto, M., Esseni, D. & Mikolajick, T., 5 Okt. 2021, in: Advanced functional materials. 32, 2, 2108494Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Enhanced Trion Emission in Monolayer MoSe₂ by Constructing a Type-I Van Der Waals HeterostructureDuan, J., Chava, P., Ghorbani-Asl, M., Erb, D., Hu, L., Krasheninnikov, A. V., Schneider, H. & 6 weitere, 1 Okt. 2021, in: Advanced functional materials. 31, 40, 2104960Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Pyroelectric dependence of atomic layer-deposited Hf0.5Zr0.5O2 on film thickness and annealing temperatureLomenzo, P. D., Alcala, R., Richter, C., Li, S., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 13 Sept. 2021, in: Applied physics letters. 119, 11, 112903Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Analysis of Energy-Delay-Product of a 3D Vertical Nanowire FET TechnologyO'Connor, I., Poittevin, A., Le Beux, S., Bosio, A., Stanojevic, Z., Baumgartner, O., Mukherjee, C. & 4 weitere, 1 Sept. 2021, 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EuroSOI-ULIS 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 1-4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Single-step reactive ion etching process for device integration of hafnium-zirconium-oxide (HZO)/titanium nitride (TiN) stacksMauersberger, T., Trommer, J., Sharma, S., Knaut, M., Pohl, D., Rellinghaus, B., Mikolajick, T. & 1 weitere, 1 Sept. 2021, in: Semiconductor science and technology. 36, 9, 6 S., 095025Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Effect of the Si Doping Content in HfO2 Film on the Key Performance Metrics of Ferroelectric FETsMulaosmanovic, H., Dunkel, S., Kleimaier, D., Kacimi, A. E., Beyer, S., Breyer, E. T., Mikolajick, T. & 1 weitere, Sept. 2021, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 68, 9, S. 4773-4779, 7 S., 9507084Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Impact of the Ferroelectric Stack Lamination in Si Doped Hafnium Oxide (HSO) and Hafnium Zirconium Oxide (HZO) Based FeFETs: Toward High-Density Multi-Level Cell and Synaptic StorageAli, T., Kühnel, K., Olivo, R., Lehninger, D., Müller, F., Lederer, M., Rudolph, M. & 13 weitere, Sept. 2021, in: Electronic Materials. 2, 3, S. 344-369, 26 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• An unexplored antipolar phase in HfO2 from first principles and implication for wake-up mechanismAntunes, L. A., Ganser, R., Alcala, R., Mikolajick, T., Schroeder, U. & Kersch, A., 23 Aug. 2021, in: Applied physics letters. 119, 8, 082903Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel