Publikationen

2021

• 16kbit HfO₂:Si-based 1T-1C FeRAM Arrays Demonstrating High Performance Operation and Solder Reflow CompatibilityFrancois, T., Coignus, J., Makosiej, A., Giraud, B., Carabasse, C., Barbot, J., Martin, S. & 14 weitere, 2021, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 33.1.1-33.1.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Back-bias reconfigurable field effect transistor: A flexible add-on functionality for 22 nm FDSOISessi, V., Simon, M., Slesazeck, S., Drescher, M., Mulaosmanovic, H., Li, K., Binder, R. & 13 weitere, 2021, 2021 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Control Strategies to Optimize Graph Coloring via M-CNNs with Locally-Active NbOx MemristorsAscoli, A., Weiher, M., Tetzlaff, R., Herzig, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2021Publikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Demonstration of 1T1C FeRAM Arrays for Nonvolatile Memory ApplicationsOkuno, J., Kunihiro, T., Konishi, K., Maemura, H., Shuto, Y., Sugaya, F., Materano, M. & 8 weitere, 2021, 2021 20th International Workshop on Junction Technology (IWJT). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• FeFET based Logic-in-Memory: an overviewMarchand, C., O’Connor, I., Cantan, M., Breyer, E. T., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2021, Proceedings - 2021 16th International Conference on Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, DTIS 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Ferroelectric Tunneling Junctions for Edge ComputingCovi, E., Duong, Q. T., Lancaster, S., Havel, V., Coignus, J., Barbot, J., Richter, O. & 6 weitere, 2021, 2021 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS 2021 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9401800Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Integration and Reliability Aspects of Low-Temperature and Au-free Ta/Al-based Ohmic Contacts for AlGaN/GaN MIS-HEMTsCalzolaro, A., Mikolajick, T. & Wachowiak, A., 2021, ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC). S. 307-310, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Mechanism of Retention Degradation after Endurance Cycling of HfO₂-based Ferroelectric TransistorsZhou, H., Ocker, J., Pesic, M., Padovani, A., Trentzsch, M., Dünkel, S., Müller, J. & 5 weitere, 2021, 2021 Symposium on VLSI Technology. Kyoto: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Modelling of vertical and ferroelectric junctionless technology for efficient 3D neural network compute cube dedicated to embedded artificial intelligenceManeux, C., Mukherjee, C., Deng, M., Dubourg, M., Reveil, L., Bordea, G., Lecestre, A. & 17 weitere, 2021, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Polarization switching and interface charges in BEOL compatible Ferroelectric Tunnel JunctionsFontanini, R., Barbot, J., Segatto, M., Lancaster, S., Duong, Q., Driussi, F., Grenouillet, L. & 5 weitere, 2021, ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference, Proceedings. Editions Frontieres, S. 255-258, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband