Publikationen

2020

• Enhanced ferroelectric polarization in TiN/HfO₂/TiN capacitors by interface designMüller, M., Szyjka, T., Baumgarten, L., Mittmann, T., Matveyev, Y., Schlueter, C., Mikolajick, T. & 1 weitere, 27 Okt. 2020, in: ACS applied electronic materials. 2, 10, S. 3152-3159, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Intrinsic or nucleation-driven switching: An insight from nanoscopic analysis of negative capacitance Hf1−xZrxO2-based structuresStolichnov, I., Cavalieri, M., Gastaldi, C., Hoffmann, M., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Ionescu, A. M., 26 Okt. 2020, in: Applied physics letters. 117, 172902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Built-in bias fields for retention stabilisation in hafnia-based ferroelectric tunnel junctionsMax, B., Hoffmann, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 15 Okt. 2020, in:  Electronics letters : the latest research in electronic engineering and technology. 56, 21, S. 1108-1110Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Investigation of HVPE grown layers on MOVPE GaN/sapphire templates for application as drift layer in vertical GaN power devicesXie, T., Krupinski, M., Jachalke, S., Silva, C., Großer, A., Gärtner, J., Hentschel, R. & 2 weitere, 11 Okt. 2020, ASDAM 2020 - Proceedings: 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Izsak, T. & Vanko, G. (Hrsg.). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 135-138, 4 S., 9393849Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Frequency Mixing with HfO₂-Based Ferroelectric TransistorsMulaosmanovic, H., Dünkel, S., Trentzsch, M., Beyer, S., Breyer, E. T., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 7 Okt. 2020, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 12, 40, S. 44919-44925, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A Gibbs energy view of double hysteresis in ZrO2 and Si-doped HfO2Lomenzo, P. D., Materano, M., Richter, C., Alcala, R., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 5 Okt. 2020, in: Applied physics letters. 117, 14, 142904Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Channel Length-Dependent Operation of Ambipolar Schottky-Barrier Transistors on a Single Si NanowirePark, S. J., Jeon, D. Y., Sessi, V., Trommer, J., Heinzig, A., Mikolajick, T., Kim, G. T. & 1 weitere, 30 Sept. 2020, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 12, 39, S. 43927-43932, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Al₂O₃-TiO_x as full area passivating contacts for silicon surfaces utilizing oxygen scavenging titanium interlayersTröger, D., Grube, M., Lehnert, J. & Mikolajick, T., 15 Sept. 2020, in: Solar energy materials and solar cells. 215, 110651Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• What’s next for negative capacitance electronics?Hoffmann, M., Slesazeck, S., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 9 Sept. 2020, in: Nature electronics. 3, S. 504–506Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Impact of Read Operation on the Performance of HfO2-Based Ferroelectric FETsMulaosmanovic, H., Dunkel, S., Muller, J., Trentzsch, M., Beyer, S., Breyer, E. T., Mikolajick, T. & 1 weitere, Sept. 2020, in: IEEE electron device letters. 41, 9, S. 1420-1423, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel