Publikationen

2020

• Polarization switching in thin doped HfO2 ferroelectric layersMaterano, M., Lomenzo, P. D., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Toriumi, A., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 28 Dez. 2020, in: Applied physics letters. 117, 26, 262904Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Hafnia-Based Double-Layer Ferroelectric Tunnel Junctions as Artificial Synapses for Neuromorphic ComputingMax, B., Hoffmann, M., Mulaosmanovic, H., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 22 Dez. 2020, in: ACS applied electronic materials. 2, 12, S. 4023-4033Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Influences on Plasmon Resonance Linewidth in Metal-Insulator-Metal Structures Obtained via Colloidal Self-AssemblyYu, Y., Schletz, D., Reif, J., Winkler, F., Albert, M., Fery, A. & Kirchner, R., 16 Dez. 2020, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 12, 50, S. 56281-56289, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Application and benefits of target programming algorithms for ferroelectric HfO₂transistorsZhou, H., Ocker, J., Padovani, A., Pesic, M., Trentzsch, M., Dunkel, S., Mulaosmanovic, H. & 5 weitere, 12 Dez. 2020, S. 18.6.1-18.6.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Impact of oxygen vacancy content in ferroelectric HZO films on the device performanceMittmann, T., Materano, M., Chang, S. C., Karpov, I., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 12 Dez. 2020, S. 18.4.1-18.4.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Investigation of Accumulative Switching in Ferroelectric FETs: Enabling Universal Modeling of the Switching BehaviorMulaosmanovic, H., Dunkel, S., Trentzsch, M., Beyer, S., Breyer, E. T., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., Dez. 2020, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 67, 12, S. 5804-5809, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Influence of oxygen content on the structure and reliability of ferroelectric Hf_xZr_1−xO₂ layersMaterano, M., Mittmann, T., Lomenzo, P. D., Zhou, C., Jones, J. L., Falkowski, M., Kersch, A. & 2 weitere, 24 Nov. 2020, in: ACS applied electronic materials. 2, 11, S. 3618-3626, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Wake-Up Mechanisms in Ferroelectric Lanthanum-Doped Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin FilmsMehmood, F., Mikolajick, T. & Schroeder, U., Nov. 2020, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 217, 22, 2000281Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Enhanced ferroelectric polarization in TiN/HfO₂/TiN capacitors by interface designMüller, M., Szyjka, T., Baumgarten, L., Mittmann, T., Matveyev, Y., Schlueter, C., Mikolajick, T. & 1 weitere, 27 Okt. 2020, in: ACS applied electronic materials. 2, 10, S. 3152-3159, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Intrinsic or nucleation-driven switching: An insight from nanoscopic analysis of negative capacitance Hf1−xZrxO2-based structuresStolichnov, I., Cavalieri, M., Gastaldi, C., Hoffmann, M., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Ionescu, A. M., 26 Okt. 2020, in: Applied physics letters. 117, 172902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel