Publikationen

2020

• Top-Down Fabricated Reconfigurable FET With Two Symmetric and High-Current On-StatesSimon, M., Liang, B., Fischer, D., Knaut, M., Tahn, A., Mikolajick, T. & Weber, W. M., Juli 2020, in: IEEE electron device letters. 41, 7, S. 1110 - 1113, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Depolarization as Driving Force in Antiferroelectric Hafnia and Ferroelectric Wake-UpLomenzo, P. D., Richter, C., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 23 Juni 2020, in: ACS applied electronic materials. 2, 6, S. 1583-1595, 13 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Hafnium oxide as an enabler for competitive ferroelectric devicesMikolajick, T., Mulaosmanovic, H., Lomenzo, P., Hoffmann, M., Slesazeck, S. & Schroeder, U., Juni 2020, S. 1-2, 2 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Size effect of electronic properties in highly arsenic-doped silicon nanowiresMauersberger, T., Ibrahim, I., Grube, M., Heinzig, A., Mikolajick, T. & Weber, W. M., Juni 2020, in: Solid-state electronics. 168, 107724Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• SoC compatible 1 T1 C FeRAM memory array based on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2Okuno, J., Kunihiro, T., Konishi, K., Maemura, H., Shute, Y., Sugaya, F., Materano, M. & 7 weitere, Juni 2020, 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology. Honolulu: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9265063Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Towards scalable reconfigurable field effect transistor using flash lamp annealingKhan, M. B., Ghosh, S., Prucnal, S., Mauersberger, T., Hubner, R., Simon, M., Mikolajick, T. & 2 weitere, Juni 2020Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Endurance and targeted programming behavior of HfO2-FeFETsZhou, H., Mennenga, J. O. M., Müller, M. N. S., Müller, M. N. S., Trentzsch, M., Trentzsch, M., Beyer, S. D. S. & 1 weitere, Mai 2020, 2020 IEEE International Memory Workshop (IMW). Dresden: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9108131Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• FeFET: A versatile CMOS compatible device with game-changing potentialBeyer, S., Dünkel, S., Trentzsch, M., Müller, J., Hellmich, A., Utess, D., Paul, J. & 22 weitere, Mai 2020, 2020 IEEE International Memory Workshop (IMW). Dresden: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9108150Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Thickness Scaling of AFE-RAM ZrO2 Capacitors with High Cycling Endurance and Low Process TemperatureLomenzo, P. D., Slesazeck, S., Mikolajick, T. & Schroeder, U., Mai 2020, 2020 IEEE International Memory Workshop, IMW 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9108146Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent InputsTrommer, J., Simon, M., Slesazeck, S., Weber, W. M. & Mikolajick, T., 9 April 2020, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 8, S. 740-747, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel