Publikationen
668 Einträge
2020
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FeFET: A versatile CMOS compatible device with game-changing potential, Mai 2020, 2020 IEEE International Memory Workshop (IMW). Dresden: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9108150Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Thickness Scaling of AFE-RAM ZrO2 Capacitors with High Cycling Endurance and Low Process Temperature, Mai 2020, 2020 IEEE International Memory Workshop, IMW 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9108146Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent Inputs, 9 April 2020, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 8, S. 740-747, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Normally-Off Operation of Lateral Field-Effect Transistors Fabricated from Ultrapure GaN/AlGaN Heterostructures, 1 April 2020, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 217, 7, 1900732Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Photoluminescence dynamics in few-layer InSe, April 2020, in: Physical review materials. 4, 4, 044001Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Switching and Charge Trapping in HfO2-based Ferroelectric FETs: An Overview and Potential Applications, April 2020, 4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9118005Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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The Past, the Present, and the Future of Ferroelectric Memories, April 2020, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 67, 4, S. 1434 - 1443, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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HfxZr1 − xO2 thin films for semiconductor applications: An Hf- and Zr-ALD precursor comparison, März 2020, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films. 38, 2, 022402Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Influence of the active leakage current pathway on the potential induced degradation of CIGS thin film solar modules, Feb. 2020, in: Solar energy : the official journal of the International Solar Energy Society. 197, S. 455-461, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Magnetic and ferroelectric memories, 1 Jan. 2020, Memristive Devices for Brain-Inspired Computing: From Materials, Devices, and Circuits to Applications - Computational Memory, Deep Learning, and Spiking Neural Networks. Elsevier , S. 97-134, 38 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
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