Publikationen

2020

• A Silicon Nanowire Ferroelectric Field-Effect TransistorSessi, V., Simon, M., Mulaosmanovic, H., Pohl, D., Loeffler, M., Mauersberger, T., Fengler, F. P. & 5 weitere, 2020, in: Advanced electronic materials. 6, 4, S. 1901244, 1 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Compact FeFET Circuit Building Blocks for Fast and Efficient Nonvolatile Logic-in-MemoryBreyer, E. T., Mulaosmanovic, H., Trommer, J., Melde, T., Dunkel, S., Trentzsch, M., Beyer, S. & 2 weitere, 2020, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 8, S. 748-756Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• FeFETs for Neuromorphic SystemsMulaosmanovic, H., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 2020, Topics in Applied Physics. Springer, S. 399-411, 13 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
• Flexible memory, bit-passing and mixed logic/ memory operation of two intercoupled FeFET arraysBreyer, E. T., Mulaosmanovic, H., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2020, IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9181279Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Nonvolatile Field-Effect Transistors Using Ferroelectric-Doped HfO₂ FilmsSchroeder, U., Slesazeck, S., Mulaosmanovic, H. & Mikolajick, T., 2020, Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. 2 Aufl., Springer, S. 79-96, 18 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
• Quantitative Characterization of Reconfigurable Transistor Logic Gates.Raitza, M., Märcker, S., Trommer, J., Heinzig, A., Klüppelholz, S., Baier, C. & Kumar, A., 2020, in: IEEE access. 8, S. 112598-112614, 17 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Reliability improvement of ferroelectric hf0.5zr0.5o2 thin films by lanthanum doping for feram applicationsMehmood, F., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 2020Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Review of defect chemistry in fluorite-structure ferroelectrics for future electronic devicesPark, M. H., Lee, D. H., Yang, K., Park, J., Yu, G. T., Park, H. W., Materano, M. & 5 weitere, 2020, in: Journal of Materials Chemistry. C, Materials for optical and electronic devices. 8, 31, S. 10526-10550, 25 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• SOTF-BTI - An S-parameters based on-the-fly bias temperature instability characterization methodChohan, T., Slesazeck, S., Krause, G., Trommer, J., Lehmann, S. & Mikolajick, T., 2020Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Surface related differences between uncoated versus carbon-coated silicon nanowire electrodes on performance in lithium ion batteriesKrause, A., Langklotz, U., Pohl, D., Tkacheva, O., Pohl, D., Nielsch, K., Mikolajick, T. & 1 weitere, 2020, in: Journal of energy storage. 27, S. 101052, 1 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel