Publikationen

2020

• Switching in Nanoscale Hafnium Oxide-Based Ferroelectric TransistorsMulaosmanovic, H., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 2020, Topics in Applied Physics. Springer, S. 97-108, 12 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten

2019

• On the Origin of the Large Remanent Polarization in La:HfO 2Schenk, T., Fancher, C. M., Park, M. H., Richter, C., Künneth, C., Kersch, A., Jones, J. L. & 2 weitere, 19 Dez. 2019, in: Advanced electronic materials. 5, 12, 1900303Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructuresScheinert, T., Mikolajick, T. & Schmult, S., 1 Dez. 2019, in: AIP advances. 9, 12, 125018Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A 2TnC ferroelectric memory gain cell suitable for compute-in-memory and neuromorphic applicationSlesazeck, S., Ravsher, T., Havel, V., Breyer, E. T., Mulaosmanovic, H. & Mikolajick, T., Dez. 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Material perspectives of HfO₂-based ferroelectric films for device applicationsToriumi, A., Xu, L., Mori, Y., Tian, X., Lomenzo, P. D., Mulaosmanovic, H., Materano, M. & 2 weitere, Dez. 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Bulk Depolarization Fields as a Major Contributor to the Ferroelectric Reliability Performance in Lanthanum Doped Hf_0.5Zr_0.5O₂ CapacitorsMehmood, F., Hoffmann, M., Lomenzo, P. D., Richter, C., Materano, M., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 1 Nov. 2019, in: Advanced materials interfaces. 6, 21, 1901180Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Adoption of 2T2C ferroelectric memory cells for logic operationRavsher, T., Mulaosmanovic, H., Breyer, E. T., Havel, V., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., Nov. 2019, 2020 27th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 791-794, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Local structural investigation of hafnia-zirconia polymorphs in powders and thin films by X-ray absorption spectroscopySchenk, T., Anspoks, A., Jonane, I., Ignatans, R., Johnson, B. S., Jones, J. L., Tallarida, M. & 6 weitere, Nov. 2019, in: Acta materialia. 180, S. 158-169, 12 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Simulation of integrate-and-fire neuron circuits using HfO₂-based ferroelectric field effect transistorsSuresh, B., Bertele, M., Breyer, E. T., Klein, P., Mulaosmanovic, H., Mikolajick, T., Slesazeck, S. & 1 weitere, Nov. 2019, 2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 229-232, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Correction to Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO 2 Films Deposited by Sputtering: (Advanced Materials Interfaces, (1900042), 10.1002/admi.201900042)Mittmann, T., Materano, M., Lomenzo, P. D., Park, M. H., Stolichnov, I., Cavalieri, M., Zhou, C. & 7 weitere, 1 Okt. 2019, in: Advanced materials interfaces. Band 6. S. 1901528Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Spezielle Publikationen/Beiträge > Korrekturen (Errata und Widerrufe)