Publikationen
675 Einträge
2020
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Flexible memory, bit-passing and mixed logic/ memory operation of two intercoupled FeFET arrays, 2020, 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 9181279Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Nonvolatile Field-Effect Transistors Using Ferroelectric-Doped HfO2 Films, 2020, Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. 2 Aufl., Springer, S. 79-96, 18 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
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Quantitative Characterization of Reconfigurable Transistor Logic Gates., 2020, in: IEEE access. 8, S. 112598-112614, 17 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Reliability improvement of ferroelectric hf0.5zr0.5o2 thin films by lanthanum doping for feram applications, 2020Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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Review of defect chemistry in fluorite-structure ferroelectrics for future electronic devices, 2020, in: Journal of Materials Chemistry. C, Materials for optical and electronic devices. 8, 31, S. 10526-10550, 25 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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SOTF-BTI - An S-parameters based on-the-fly bias temperature instability characterization method, 2020, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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Surface related differences between uncoated versus carbon-coated silicon nanowire electrodes on performance in lithium ion batteries, 2020, in: Journal of energy storage. 27, S. 101052, 1 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Switching in Nanoscale Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Transistors, 2020, Topics in Applied Physics. Springer, S. 97-108, 12 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
2019
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On the Origin of the Large Remanent Polarization in La:HfO 2, 19 Dez. 2019, in: Advanced electronic materials. 5, 12, 1900303Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Critical parameters for the presence of a 2DEG in GaN/AlxGa1−xN heterostructures, 1 Dez. 2019, in: AIP advances. 9, 12, 125018Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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