Publikationen

2019

• A 2TnC ferroelectric memory gain cell suitable for compute-in-memory and neuromorphic applicationSlesazeck, S., Ravsher, T., Havel, V., Breyer, E. T., Mulaosmanovic, H. & Mikolajick, T., Dez. 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Material perspectives of HfO₂-based ferroelectric films for device applicationsToriumi, A., Xu, L., Mori, Y., Tian, X., Lomenzo, P. D., Mulaosmanovic, H., Materano, M. & 2 weitere, Dez. 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Bulk Depolarization Fields as a Major Contributor to the Ferroelectric Reliability Performance in Lanthanum Doped Hf_0.5Zr_0.5O₂ CapacitorsMehmood, F., Hoffmann, M., Lomenzo, P. D., Richter, C., Materano, M., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 1 Nov. 2019, in: Advanced materials interfaces. 6, 21, 1901180Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Adoption of 2T2C ferroelectric memory cells for logic operationRavsher, T., Mulaosmanovic, H., Breyer, E. T., Havel, V., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., Nov. 2019, 2020 27th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 791-794, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Local structural investigation of hafnia-zirconia polymorphs in powders and thin films by X-ray absorption spectroscopySchenk, T., Anspoks, A., Jonane, I., Ignatans, R., Johnson, B. S., Jones, J. L., Tallarida, M. & 6 weitere, Nov. 2019, in: Acta materialia. 180, S. 158-169, 12 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Simulation of integrate-and-fire neuron circuits using HfO₂-based ferroelectric field effect transistorsSuresh, B., Bertele, M., Breyer, E. T., Klein, P., Mulaosmanovic, H., Mikolajick, T., Slesazeck, S. & 1 weitere, Nov. 2019, 2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 229-232, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Correction to Origin of Ferroelectric Phase in Undoped HfO 2 Films Deposited by Sputtering: (Advanced Materials Interfaces, (1900042), 10.1002/admi.201900042)Mittmann, T., Materano, M., Lomenzo, P. D., Park, M. H., Stolichnov, I., Cavalieri, M., Zhou, C. & 7 weitere, 1 Okt. 2019, in: Advanced materials interfaces. Band 6. S. 1901528Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Spezielle Publikationen/Beiträge > Korrekturen (Errata und Widerrufe)
• Impact of BTI Stress on RF Small Signal Parameters of FDSOI MOSFETsChohan, T., Slesazeck, S., Trommer, J., Krause, G., Bossu, G., Lehmann, S. & Mikolajick, T., Okt. 2019, 2019 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Band 2019. 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Negative Capacitance for Electrostatic SupercapacitorsHoffmann, M., Fengler, F. P. G., Max, B., Schroeder, U., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., Okt. 2019, in: Advanced energy materials. 9, 40Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Novel Quantum Dot Based Memories with Many Days of Storage Time: Last Steps towards the Holy Grail?Bimberg, D., Mikolajick, T. & Wallart, X., Okt. 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper