Publikationen

2019

• Improvement of NbO _x-based threshold switching devices by implementing multilayer stacksHerzig, M., Weiher, M., Ascoli, A., Tetzlaff, R., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 6 Juni 2019, in: Semiconductor science and technology. 34, 7, 075005Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Demonstration and Endurance Improvement of p-channel Hafnia-based Ferroelectric Field Effect TransistorsWinkler, F., Pesic, M., Richter, C., Hoffmann, M., Mikolajick, T. & Bartha, J. W., Juni 2019, S. 51-52, 2 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Dynamic modeling of hysteresis-free negative capacitance in ferroelectric/dielectric stacks under fast pulsed voltage operationHoffmann, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., Juni 2019, S. 97-98, 2 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Variants of Ferroelectric Hafnium Oxide based Nonvolatile MemoriesMikolajick, T., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Max, B., Mittmann, T., Schroeder, U. & Slesazeck, S., Juni 2019, S. 207-208, 2 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Multi-staged deposition of trench-gate oxides for power MOSFETsNeuber, M., Storbeck, O., Langner, M., Stahrenberg, K. & Mikolajick, T., Mai 2019, in:  Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 37, 032202Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Retention characteristics of Hf_0.5Zr_0.5O₂-based ferroelectric tunnel junctionsMax, B., Mikolajick, T., Hoffmann, M. & Slesazeck, S., Mai 2019, 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 8739765Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Uniting the trinity of ferroelectric HfO₂ memory devices in a single memory cellSlesazeck, S., Havel, V., Breyer, E., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Max, B., Duenkel, S. & 1 weitere, Mai 2019, 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW). Monterey: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 20 - 23, 8739742Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Scaling Aspects of Nanowire Schottky Junction based Reconfigurable Field Effect TransistorsBaldauf, T., Heinzig, A., Mikolajick, T. & Weber, W. M., April 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Designing Efficient Circuits Based on Runtime-Reconfigurable Field-Effect TransistorsRai, S., Trommer, J., Raitza, M., Mikolajick, T., Weber, W. M. & Kumar, A., März 2019, in: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems. 27, 3, S. 560-572, 13 S., 3Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin filmsIslamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M. & 4 weitere, März 2019, in: Acta materialia. 166, S. 47-55Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel