Publikationen
675 Einträge
2019
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Multi-staged deposition of trench-gate oxides for power MOSFETs, Mai 2019, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 37, 032202Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Retention characteristics of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric tunnel junctions, Mai 2019, 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 8739765Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Uniting the trinity of ferroelectric HfO2 memory devices in a single memory cell, Mai 2019, 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW). Monterey: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 20 - 23, 8739742Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Scaling Aspects of Nanowire Schottky Junction based Reconfigurable Field Effect Transistors, April 2019Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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Designing Efficient Circuits Based on Runtime-Reconfigurable Field-Effect Transistors, März 2019, in: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems. 27, 3, S. 560-572, 13 S., 3Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films, März 2019, in: Acta materialia. 166, S. 47-55Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Magneto-optical confirmation of Landau level splitting in a GaN/AlGaN 2DEG grown on bulk GaN, März 2019, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 37, 2, 021210Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Prospects for energy-efficient edge computing with integrated HfO2-based ferroelectric devices, 19 Feb. 2019, Proceedings of the 2018 26th IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration, VLSI-SoC 2018. IEEE Computer Society, Washington , S. 180-183, 4 S., 8644809Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Pattern Formation With Locally Active S-Type NbOx Memristors, 14 Feb. 2019, in: IEEE Transactions on Circuits and Systems : a publication of the IEEE Circuits and Systems Society. 1, Regular Papers. S. 2627-2638, 12 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Recovery of Cycling Endurance Failure in Ferroelectric FETs by Self-Heating, Feb. 2019, in: IEEE electron device letters. 40, 2, S. 216-219, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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