Publikationen

2019

• Carbon-doped MBE GaN: Spectroscopic insightsPohl, D., Solovyev, V., Röher, S., Gärtner, J., Kukushkin, I., Mikolajick, T., Großer, A. & 1 weitere, 2019, in: Journal of crystal growth. 514, S. 29-35, 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Deconvoluting charge trapping and nucleation interplay in FeFETs: Kinetics and ReliabilityPesic, M., Padovani, A., Slcsazeck, S., Mikolajick, T. & Larcher, L., 2019, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDMElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Demonstration of High-speed Hysteresis-free Negative Capacitance in Ferroelectric Hf _0.5 Zr_0.5 O₂Hoffmann, M., Max, B., Mittmann, T., Schroeder, U., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2019, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). S. 31.6.1-31.6.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel JunctionsMax, B., Hoffmann, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2019, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 7, 1, S. 1175-1181Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO₂ Layer for Large Memory Window and High PerformanceMulaosmanovic, H., Breyer, E. T., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 2019, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 66, 9, S. 3828-3833, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Ferroelectric Hf1-xZrxO2 Memories: Device Reliability and Depolarization FieldsLomenzo, P. D., Slesazeck, S., Hoffmann, M., Mikolajick, T., Schroeder, U. & Max, B., 2019, 2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Durham, NC, USA. S. 1-8Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• In situ Raman spectroscopy on silicon nanowire anodes integrated in lithium ion batteriesKrause, A., Tkacheva, O., Omar, A., Langklotz, U., Giebeler, L., Dörfler, S., Fauth, F. & 2 weitere, 2019, in: Journal of the Electrochemical Society. 166, 3, A5378Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Next Generation Ferroelectric Memories enabled by Hafnium OxideMikolajick, T., Schroeder, U., Lomenzo, P. D., Breyer, E. T., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Mittmann, T. & 3 weitere, 2019, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Recent progress for obtaining the ferroelectric phase in hafnium oxide based films: Impact of oxygen and zirconiumSchroeder, U., Materano, M., Mittmann, T., Lomenzo, P. D., Mikolajick, T. & Toriumi, A., 2019, in: Japanese journal of applied physics. 58, SL, SL0801Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Towards Reconfigurable Electronics: Silicidation of Top-Down Fabricated Silicon NanowiresKhan, M. B., Deb, D., Kerbusch, J., Fuchs, F., Löffler, M., Banerjee, S., Mühle, U. & 5 weitere, 2019, in: Applied Sciences. 9, 17, S. 3462, 1 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel