Publikationen
675 Einträge
2019
-
Junction Tuning by Ferroelectric Switching in Silicon Nanowire Schottky-Barrier Field Effect Transistors, 24 Jan. 2019, 18th International Conference on Nanotechnology, NANO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 4 S., 8626257Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
-
Deactivation of silicon surface states by Al-induced acceptor states from Al–O monolayers in SiO2, 7 Jan. 2019, in: Journal of applied physics. 125, 015301Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
-
Ferroelectric field effect transistor, 1 Jan. 2019, Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices. Elsevier , S. 451-471, 21 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
-
Ferroelectric memories, 1 Jan. 2019, Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology, Second Edition. Elsevier, S. 393-441, 49 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
-
Ferroelectric one transistor/one capacitor memory cell, 1 Jan. 2019, Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices. Elsevier , S. 413-424, 12 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
-
Negative capacitance in HfO2- and ZrO2-based ferroelectrics, 1 Jan. 2019, Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices. Elsevier , S. 473-493, 21 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
-
An Area-Efficient 128-Channel Spike Sorting Processor for Real-Time Neural Recording With $0.175~ W/Channel in 65-nm CMOS, 2019, in: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems. 27, 1, S. 126-137, 12 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
-
Carbon-doped MBE GaN: Spectroscopic insights, 2019, in: Journal of crystal growth. 514, S. 29-35, 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
-
Deconvoluting charge trapping and nucleation interplay in FeFETs: Kinetics and Reliability, 2019, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDMElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
-
Demonstration of High-speed Hysteresis-free Negative Capacitance in Ferroelectric Hf 0.5 Zr0.5 O2, 2019, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). S. 31.6.1-31.6.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
m Ihre eigenen Inhalte einzufügen.