Publikationen
668 Einträge
2018
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Random Number Generation Based on Ferroelectric Switching, Jan. 2018, in: IEEE electron device letters. 39, 1, S. 135-138, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Accumulative Polarization Reversal in Nanoscale Ferroelectric Transistors, 2018, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 10, 28, S. 23997–24002, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond, 2018, 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). S. 19.7.1-19.7.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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A physical synthesis flow for early technology evaluation of silicon nanowire based reconfigurable FETs., 2018, DATE. S. 605-608, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Atomic Structure of Domain and Interphase Boundaries in Ferroelectric HfO2, 2018, in: Advanced materials interfaces. 5, 5, 1701258Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Built-In Bias Generation in Anti-Ferroelectric Stacks: Methods and Device Applications, 2018, in: IEEE journal of the Electron Devices Society. 6, S. 1019-1025, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Computing with ferroelectric FETs: Devices, models, systems, and applications, 2018, Proceedings of the 2018 Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition, DATE 2018Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Demonstration of High-speed Hysteresis-free Negative Capacitance in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, 2018, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Demonstration of versatile nonvolatile logic gates in 28nm HKMG FeFET technology, 2018, 2018 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Domain formation in ferroelectric negative capacitance devices, 2018, Device Research Conference - Conference Digest, DRCElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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