Publikationen

2018

• Interplay between ferroelectric and resistive switching in doped crystalline HfO2Max, B., Pesic, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 7 April 2018, in: Journal of applied physics. 123, 13Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Pyroelectricity of silicon-doped hafnium oxide thin filmsJachalke, S., Schenk, T., Park, M. H., Schroeder, U., Mikolajick, T., Stöcker, H., Mehner, E. & 1 weitere, 2 April 2018, in: Applied physics letters. 112, 142901Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: A Robust Ferroelectric MaterialSchroeder, U., Richter, C., Park, M. H., Schenk, T., Pesic, M., Hoffmann, M., Fengler, F. P. G. & 6 weitere, 5 März 2018, in: Inorganic chemistry. 57, 5, S. 2752-2765, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Analysis of Performance Instabilities of Hafnia‐Based Ferroelectrics Using Modulus Spectroscopy and Thermally Stimulated Depolarization CurrentsFengler, F. P. G., Nigon, R., Muralt, P., Grimley, E. D., Sang, X., Sessi, V., Hentschel, R. & 3 weitere, 1 März 2018, in: Advanced electronic materials. 4, 3, 1700547Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Signal and Noise of Schottky-Junction Parallel Silicon Nanowire Transducers for Biochemical SensingPregl, S., Baraban, L., Sessi, V., Mikolajick, T., Weber, W. M. & Cuniberti, G., 1 Feb. 2018, in: IEEE sensors journal. 18, 3, S. 967 - 975, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Germanium-based polarity-controllable transistorsWeber, W. M., Trommer, J., Heinzig, A. & Mikolajick, T., 1 Jan. 2018, Functionality-Enhanced Devices An alternative to Moore’s Law. Institution of Engineering and Technology, S. 13-26, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
• Random Number Generation Based on Ferroelectric SwitchingMulaosmanovic, H., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., Jan. 2018, in: IEEE electron device letters. 39, 1, S. 135-138, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Accumulative Polarization Reversal in Nanoscale Ferroelectric TransistorsMulaosmanovic, H., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 2018, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 10, 28, S. 23997–24002, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyondDünkel, S., Trentzsch, M., Richter, R., Moll, P., Fuchs, C., Gehring, O., Majer, M. & 16 weitere, 2018, 2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). S. 19.7.1-19.7.4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• A physical synthesis flow for early technology evaluation of silicon nanowire based reconfigurable FETs.Rai, S., Rupani, A., Walter, D., Raitza, M., Heinzig, A., Baldauf, T., Trommer, J. & 3 weitere, 2018, DATE. S. 605-608, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband