Publikationen

2018

• Effect of Annealing Ferroelectric HfO₂ Thin Films: In Situ, High Temperature X-Ray DiffractionPark, M., Chung, C., Schenk, T., Richter, C., Opsomer, K., Detavernier, C., Adelmann, C. & 3 weitere, 2018, in: Advanced electronic materials. 4, 7, 1800091Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Embedding hafnium oxide based FeFETs in the memory landscapeSlesazeck, S., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 2018, ICICDT 2018 - International Conference on IC Design and Technology, ProceedingsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistorsMikolajick, T., Slesazeck, S., Park, M. & Schroeder, U., 2018, in: MRS bulletin. 43, S. 340–346, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Ferroelectric Tunnel Junctions based on Ferroelectric-Dielectric Hf(0.5)Zro(0.5)O(2) /Al2O3 Capacitor StacksMax, B., Hoffmann, M., Slesazeck, S. & Mikolajick, T., 2018, 2018 48TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC). S. 142-145Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Gating hysteresis as an indicator for silicon nanowire FET biosensorsIbarlucea, B., Römhildt, L., Zörgiebel, F., Pregl, S., Vahdatzadeh, M., Weber, W., Mikolajick, T. & 3 weitere, 2018, in: Applied Sciences (Switzerland). 8, 6, 950Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Hafnium oxide based ferroelectric devices for memories and beyondMikolajick, T., Schroeder, U. & Slesazeck, S., 2018, 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application, VLSI-TSA 2018Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Impact of hot carrier stress on small-signal parameters of FD-SOI NMOSFETsChohan, T., Slesazeck, S., Trommer, J., Pesic, M., Lehmann, S., Pakfar, A., Harame, D. & 1 weitere, 2018, 2017 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Mimicking biological neurons with a nanoscale ferroelectric transistorMulaosmanovic, H., Chicca, E., Bertele, M., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 2018, in: Nanoscale. 10, 46, S. 21755-21763, 9 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Normally-off operating GaN-based pseudovertical MOSFETs with MBE grown source regionHentschel, R., Schmult, S., Wachowiak, A., Grosser, A., Gaertner, J. & Mikolajick, T., 2018, in:  Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 36, 2, 02D109Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• On the stabilization of ferroelectric negative capacitance in nanoscale devicesHoffmann, M., Pešić, M., Slesazeck, S., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 2018, in: Nanoscale. 10, 23, S. 10891-10899Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel