Publikationen

2018

• Understanding the formation of the metastable ferroelectric phase in hafnia–zirconia solid solution thin filmsPark, M. H., Lee, Y. H., Kim, H. J., Kim, Y. J., Moon, T., Kim, K. D., Hyun, S. D. & 3 weitere, 2018, in: Nanoscale. 10, 2, S. 716-725, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel

2017

• Insights into antiferroelectrics from first-order reversal curvesHoffmann, M., Schenk, T., Pešić, M., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 30 Okt. 2017, in: Applied physics letters. 111, 18, 182902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Si Doped Hafnium Oxide—A “Fragile” Ferroelectric SystemRichter, C., Schenk, T., Park, M. H., Tscharntke, F. A., Grimley, E. D., LeBeau, J. M., Zhou, C. & 4 weitere, 22 Okt. 2017, in: Advanced electronic materials. 3, 10, 1700131Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• The impact of charge compensated and uncompensated strontium defects on the stabilization of the ferroelectric phase in HfO2Materlik, R., Künneth, C., Mikolajick, T. & Kersch, A., 21 Aug. 2017, in: Applied physics letters. 111, 082902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Origin of orange color in nominally undoped HVPE GaN crystalsZimmermann, F., Beyer, F., Gärtner, G., Röder, C., Son, N., Janzén, E., Veselá, D. & 7 weitere, 27 Mai 2017, in: Optical materials. 70, S. 127-130, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Silicon and germanium nanowire electronics: Physics of conventional and unconventional transistorsWeber, W. & Mikolajick, T., 10 April 2017, in: Reports on progress in physics. 80, 6, 066502Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Operation regimes and electrical transport of steep slope Schottky Si-FinFETsJeon, D., Zhang, J., Trommer, J., Park, S. J., Gaillardon, P., Micheli, G. D., Mikolajick, T. & 1 weitere, 14 Feb. 2017, in: Journal of applied physics. 121, 6, 064504Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Switching Kinetics in Nanoscale Hafnium Oxide Based Ferroelectric Field-Effect TransistorsMulaosmanovic, H., Ocker, J., Müller, S., Schroeder, U., Müller, J., Polakowski, P., Flachowsky, S. & 3 weitere, 1 Feb. 2017, in: ACS applied materials & interfaces. 9, 4, S. 3792–3798, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A 28nm HKMG super low power embedded NVM technology based on ferroelectric FETsTrentzsch, M., Flachowsky, S., Richter, R., Paul, J., Reimer, B., Utess, D., Jansen, S. & 11 weitere, 31 Jan. 2017, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 11.5.1-11.5.4, 7838397Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• A comprehensive study on the structural evolution of HfO2 thin films doped with various dopantsPark, M. H., Schenk, T., Fancher, C., Grimley, E., Zhou, C., Richter, C., Lebeau, J. & 3 weitere, 2017, in: Journal of Materials Chemistry. C, Materials for optical and electronic devices. 5, 19, S. 4677-4690, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel