Publikationen

2017

• Insights into antiferroelectrics from first-order reversal curvesHoffmann, M., Schenk, T., Pešić, M., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 30 Okt. 2017, in: Applied physics letters. 111, 18, 182902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Si Doped Hafnium Oxide—A “Fragile” Ferroelectric SystemRichter, C., Schenk, T., Park, M. H., Tscharntke, F. A., Grimley, E. D., LeBeau, J. M., Zhou, C. & 4 weitere, 22 Okt. 2017, in: Advanced electronic materials. 3, 10, 1700131Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• The impact of charge compensated and uncompensated strontium defects on the stabilization of the ferroelectric phase in HfO2Materlik, R., Künneth, C., Mikolajick, T. & Kersch, A., 21 Aug. 2017, in: Applied physics letters. 111, 082902Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Origin of orange color in nominally undoped HVPE GaN crystalsZimmermann, F., Beyer, F., Gärtner, G., Röder, C., Son, N., Janzén, E., Veselá, D. & 7 weitere, 27 Mai 2017, in: Optical materials. 70, S. 127-130, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Silicon and germanium nanowire electronics: Physics of conventional and unconventional transistorsWeber, W. & Mikolajick, T., 10 April 2017, in: Reports on progress in physics. 80, 6, 066502Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Operation regimes and electrical transport of steep slope Schottky Si-FinFETsJeon, D., Zhang, J., Trommer, J., Park, S. J., Gaillardon, P., Micheli, G. D., Mikolajick, T. & 1 weitere, 14 Feb. 2017, in: Journal of applied physics. 121, 6, 064504Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Switching Kinetics in Nanoscale Hafnium Oxide Based Ferroelectric Field-Effect TransistorsMulaosmanovic, H., Ocker, J., Müller, S., Schroeder, U., Müller, J., Polakowski, P., Flachowsky, S. & 3 weitere, 1 Feb. 2017, in: ACS applied materials & interfaces. 9, 4, S. 3792–3798, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A 28nm HKMG super low power embedded NVM technology based on ferroelectric FETsTrentzsch, M., Flachowsky, S., Richter, R., Paul, J., Reimer, B., Utess, D., Jansen, S. & 11 weitere, 31 Jan. 2017, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 11.5.1-11.5.4, 7838397Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• A comprehensive study on the structural evolution of HfO2 thin films doped with various dopantsPark, M. H., Schenk, T., Fancher, C., Grimley, E., Zhou, C., Richter, C., Lebeau, J. & 3 weitere, 2017, in: Journal of Materials Chemistry. C, Materials for optical and electronic devices. 5, 19, S. 4677-4690, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• A computational study of hafnia-based ferroelectric memories: from ab initio via physical modeling to circuit models of ferroelectric devicePešić, M., Künneth, C., Hoffmann, M., Mulaosmanovic, H., Müller, S., Breyer, E., Schroeder, U. & 3 weitere, 2017, in: Journal of computational electronics. 16, S. 1236–1256, 21 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel