Publikationen

2017

• The RFET - A reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systemsMikolajick, T., Heinzig, A., Trommer, J., Baldauf, T. & Weber, W., 2017, in: Semiconductor science and technology. 32, 4, 043001Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Top-Down Technology for Reconfigurable Nanowire FETs with Symmetric On-CurrentsSimon, M., Heinzig, A., Trommer, J., Baldauf, T., Mikolajick, T. & Weber, W., 2017, in: IEEE transactions on nanotechnology. 16, 5, S. 812 - 819, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Tuning the tunneling probability by mechanical stress in Schottky barrier based reconfigurable nanowire transistorsBaldauf, T., Heinzig, A., Trommer, J., Mikolajick, T. & Weber, W., 2017, in: Solid-state electronics. 128, S. 148 - 154Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel

2016

• High-k/GaN interface engineering toward AlGaN/GaN MIS-HEMT with improved V_th stabilitySzabó, N., Wachowiak, A., Winzer, A., Ocker, J., Gärtner, J., Hentschel, R., Schmid, A. & 1 weitere, 18 Nov. 2016, in:  Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 35, 01A102Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Atomic layer deposited TiOx/AlOx nanolaminates as moisture barriers for organic devicesNehm, F., Dollinger, F., Klumbies, H., Mueller-Meskamp, L., Leo, K., Singh, A., Richter, C. & 5 weitere, Nov. 2016, in: Organic electronics. 38, S. 84-88, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• The pyroelectric coefficient of free standing GaN grown by HVPEJachalke, S., Hofmann, P., Leibiger, G., Habel, F. S., Mehner, E., Leisegang, T., Meyer, D. C. & 1 weitere, 3 Okt. 2016, in: Applied physics letters. 109, 14, 142906Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Charge-Trapping Phenomena in HfO₂ -Based FeFET-Type Nonvolatile MemoriesYurchuk, E., Muller, J., Muller, S., Paul, J., Pesic, M., Van Bentum, R., Schroeder, U. & 1 weitere, 22 Juli 2016, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 63, 9, S. 3501 - 3507, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Trapped charge densities in Al2O3-based silicon surface passivation layersJordan, P. M., Simon, D. K., Mikolajick, T. & Dirnstorfer, I., 7 Juni 2016, in: Journal of applied physics. 119, 215306 Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Phosphor-converted white light from blue-emitting InGaN microrod LEDsSchimpke, T., Mandl, M., Stoll, I., Pohl-Klein, B., Bichler, D., Zwaschka, F., Strube-Knyrim, J. & 10 weitere, Juni 2016, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 213, 6, S. 1577-1584Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Printable parallel arrays of Si nanowire schottky-barrier-FETs with tunable polarity for complementary logicPregl, S., Heinzig, A., Baraban, L., Cuniberti, G., Mikolajick, T. & Weber, W. M., Mai 2016, in: IEEE transactions on nanotechnology. 15, 3, S. 549-556, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel