Publikationen

2017

• Modeling and design considerations for negative capacitance field-effect transistorsHoffmann, M., Pešić, M., Slesazeck, S., Schroeder, U. & Mikolajick, T., 2017, Joint International EUROSOl Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon-ULIS, EUROSOI-ULIS 2017 - ProceedingsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Novel ferroelectric FET based synapse for neuromorphic systemsMulaosmanovic, H., Ocker, J., Muller, S., Noack, M., Muller, J., Polakowski, P., Mikolajick, T. & 1 weitere, 2017, Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI TechnologyElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Optimizing process conditions for improved Hf_1 − xZrxO₂ ferroelectric capacitor performanceMittmann, T., Fengler, F., Richter, C., Park, M. H., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 2017, in: Microelectronic Engineering. 178, S. 48-51, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Pseudo-vertical GaN-based trench gate metal oxide semiconductor field effect transistorHentschel, R., Wachowiak, A., Großer, A., Jahn, A., Merkel, U., Wille, A., Kalisch, H. & 3 weitere, 2017, ASDAM 2016 - Conference Proceedings, 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and MicrosystemsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Reliability comparison of ZrO₂-based DRAM high-k dielectrics under DC and AC stressKnebel, S., Zhou, D., Schroeder, U., Slesazeck, S., Pešíc, M., Agaiby, R., Heitmann, J. & 1 weitere, 2017, in: IEEE transactions on device and materials reliability. 17, 2, S. 324 - 330Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Surface and grain boundary energy as the key enabler of ferroelectricity in nanoscale hafnia-zirconia: a comparison of model and experimentPark, M. H., Lee, Y. H., Kim, H. J., Schenk, T., Lee, W., Kim, K. D., Fengler, F. P. G. & 3 weitere, 2017, in: Nanoscale. 9, 28, S. 9973-9986, 14 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• The RFET - A reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systemsMikolajick, T., Heinzig, A., Trommer, J., Baldauf, T. & Weber, W., 2017, in: Semiconductor science and technology. 32, 4, 043001Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Top-Down Technology for Reconfigurable Nanowire FETs with Symmetric On-CurrentsSimon, M., Heinzig, A., Trommer, J., Baldauf, T., Mikolajick, T. & Weber, W., 2017, in: IEEE transactions on nanotechnology. 16, 5, S. 812 - 819, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Tuning the tunneling probability by mechanical stress in Schottky barrier based reconfigurable nanowire transistorsBaldauf, T., Heinzig, A., Trommer, J., Mikolajick, T. & Weber, W., 2017, in: Solid-state electronics. 128, S. 148 - 154Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel

2016

• High-k/GaN interface engineering toward AlGaN/GaN MIS-HEMT with improved V_th stabilitySzabó, N., Wachowiak, A., Winzer, A., Ocker, J., Gärtner, J., Hentschel, R., Schmid, A. & 1 weitere, 18 Nov. 2016, in:  Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena. 35, 01A102Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel