Publikationen

2016

• Atomic layer deposited TiOx/AlOx nanolaminates as moisture barriers for organic devicesNehm, F., Dollinger, F., Klumbies, H., Mueller-Meskamp, L., Leo, K., Singh, A., Richter, C. & 5 weitere, Nov. 2016, in: Organic electronics. 38, S. 84-88, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• The pyroelectric coefficient of free standing GaN grown by HVPEJachalke, S., Hofmann, P., Leibiger, G., Habel, F. S., Mehner, E., Leisegang, T., Meyer, D. C. & 1 weitere, 3 Okt. 2016, in: Applied physics letters. 109, 14, 142906Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Charge-Trapping Phenomena in HfO₂ -Based FeFET-Type Nonvolatile MemoriesYurchuk, E., Muller, J., Muller, S., Paul, J., Pesic, M., Van Bentum, R., Schroeder, U. & 1 weitere, 22 Juli 2016, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 63, 9, S. 3501 - 3507, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Trapped charge densities in Al2O3-based silicon surface passivation layersJordan, P. M., Simon, D. K., Mikolajick, T. & Dirnstorfer, I., 7 Juni 2016, in: Journal of applied physics. 119, 215306 Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Phosphor-converted white light from blue-emitting InGaN microrod LEDsSchimpke, T., Mandl, M., Stoll, I., Pohl-Klein, B., Bichler, D., Zwaschka, F., Strube-Knyrim, J. & 10 weitere, Juni 2016, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 213, 6, S. 1577-1584Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Printable parallel arrays of Si nanowire schottky-barrier-FETs with tunable polarity for complementary logicPregl, S., Heinzig, A., Baraban, L., Cuniberti, G., Mikolajick, T. & Weber, W. M., Mai 2016, in: IEEE transactions on nanotechnology. 15, 3, S. 549-556, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• An Energy-Efficient, BiFeO₃-Coated Capacitive Switch with Integrated Memory and Demodulation FunctionsYou, T., Selvaraj, L. P., Zeng, H., Luo, W., Du, N., Bürger, D., Skorupa, I. & 5 weitere, März 2016, in: Advanced electronic materials. 2, 3, 1500352Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Silicon doping of HVPE GaN bulk-crystals avoiding tensile strain generationHofmann, P., Röder, C., Habel, F., Leibiger, G., Beyer, F. C., Gärtner, G., Eichler, S. & 1 weitere, 28 Jan. 2016, in: Journal of Physics D: Applied Physics. 49, 7, 075502Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Analysis of threshold voltage instability in AlGaN/GaN MISHEMTs by forward gate voltage stress pulsesWinzer, A., Schuster, M., Hentschel, R., Ocker, J., Merkel, U., Jahn, A., Wachowiak, A. & 1 weitere, 18 Jan. 2016, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 213, 5, S. 1246-1251, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Rectifying filamentary resistive switching in ion-exfoliated LiNbO3 thin filmsPan, X., Shuai, Y., Wu, C., Luo, W., Sun, X., Zeng, H., Zhou, S. & 5 weitere, 18 Jan. 2016, in: Applied physics letters. 108, 3, 032904Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel