Publikationen
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2016
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Unfolding principle gives insight into physics behind threshold switching in a NbO memristor, 11 Jan. 2016, 2015 International Conference on Memristive Systems, MEMRISYS 2015. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 7378399Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Tailoring the Physical Properties of Graphene, 1 Jan. 2016, Graphene: Synthesis and Applications. CRC Press, S. 1-25, 25 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Buch/Sammelband/Gutachten
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Analysis of Vth variability in NbOx-based threshold switches, 2016, 2016 16th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). S. 1-5Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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A physics-based spice model for the Nb2O5 threshold switching memristor, 2016, CNNA 2016; 15th International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and their Applications. Tetzlaff, R. (Hrsg.). Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 59-60, 2 S.Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Bringing reconfigurable nanowire FETs to a logic circuits compatible process platform, 2016, Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2016 - Conference ProceedingsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Cellular Mechanisms of the Glucocorticoid-induced Osteoporosis and therapeutic Approaches, 2016, in: OsteologiePublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Compact Nanowire Sensors Probe Microdroplets, 2016, in: Nano Letters. 16, 8, S. 4991–5000Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Comparative study of ITO and TiN fabricated by low-temperature RF biased sputtering, 2016, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films. 34, 2, 021503Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Comparison of hafnia and PZT based ferroelectrics for future non-volatile FRAM applications, 2016, European Solid-State Device Research ConferenceElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Conduction barrier offset engineering for DRAM capacitor scaling, 2016, in: Solid-state electronics. 115, Part B, S. 133-139, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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