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2015
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Defect generation and activation processes in HfO2 thin films: Contributions to stress-induced leakage currents, März 2015, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 212, 3, S. 547-553, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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BiasMDP: Carrier lifetime characterization technique with applied bias voltage, 9 Feb. 2015, in: Applied physics letters. 106, 6, 061602Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Thickness dependent barrier performance of permeation barriers made from atomic layer deposited alumina for organic devices, Feb. 2015, in: Organic electronics. 17, S. 138-143Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Integration of molecular-layer-deposited aluminum alkoxide interlayers into inorganic nanolaminate barriers for encapsulation of organic electronics with improved stress resistance, Jan. 2015, in: Journal of vacuum science & technology : JVST ; A, Vacuum, surfaces, and films. 33, 1, 01A119Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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2D Mapping of Chemical and Field Effect Passivation of Al2O3 on Silicon Substrates, 2015, in: Energy Procedia. 77, S. 91-98, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Konferenzartikel
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Comparison of silicon nanowire growth on SiO2 and on carbon substrates, 2015, 16th International Conference on Advanced Batteries, Accumulators and Fuel Cells, ABAF 2015. Simonova, L. & Vondrak, J. (Hrsg.). 1 Aufl., Electrochemical Society, Inc., S. 69-78, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Complex internal bias fields in ferroelectric hafnium oxide, 2015, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 7, 36, S. 20224–20233, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Evidence of single domain switching in hafnium oxide based FeFETs: Enabler for multi-level FeFET memory cells, 2015, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDMElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Ferroelectric hafnium oxide based materials and devices: Assessment of current status and future prospects, 2015, in: ECS Journal of Solid State Science and Technology : JSS. 4, 5, N30Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Ferroelectricity and Antiferroelectricity of Doped Thin HfO2-Based Films, 2015, in: Advanced materials. 27, 11, S. 1811-1831, 21 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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