Publikationen

2015

• Microfluidic alignment and trapping of 1D nanostructures-a simple fabrication route for single-nanowire field effect transistorsGang, A., Haustein, N., Baraban, L., Weber, W., Mikolajick, T., Thiele, J. & Cuniberti, G., 2015, in: RSC advances. 5, S. 94702-94706Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Mobility Investigations on Strained 30-nm High-k Metal Gate MOSFETs by Geometrical Magnetoresistance EffectBeister, J., Wachowiak, A., Boschke, R., Herrmann, T., Uhlarz, M. & Mikolajick, T., 2015, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 62, 6, S. 1819 - 1925Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Neue Materialien und Zellkonzepte für Lithium-Schwefel-BatterienDörfler, S., Piwko, M., Strubel, P., Wisser, F. M., Althues, H., Kaskel, S., Schädlich, S. & 16 weitere, 2015Publikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
• Next-generation ferroelectric memories based on FE-HfO₂Mueller, S., Slesazeck, S., Mikolajick, T., Müller, J., Polakowski, P. & Flachowsky, S., 2015, 2015 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectric, International Symposium on Integrated Functionalities and Piezoelectric Force Microscopy Workshop, ISAF/ISIF/PFM 2015Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• On the Control of the Fixed Charge Densities in Al₂O₃-Based Silicon Surface Passivation SchemesSimon, D., Jordan, P., Mikolajick, T. & Dirnstorfer, I., 2015, in: ACS Applied Materials and Interfaces. 7, 51, S. 28215–28222, 8 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• On the voltage scaling potential of SONOS non-volatile memory transistorsOcker, J., Slesazeck, S., Mikolajick, T., Buschbeck, S., Gunther, S., Yurchuk, E., Hoffmann, R. & 1 weitere, 2015, European Solid-State Device Research ConferenceElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
• Physical model of threshold switching in NbO₂ based memristorsSlesazeck, S., Mähne, H., Wylezich, H., Wachowiak, A., Radhakrishnan, J., Ascoli, A., Tetzlaff, R. & 1 weitere, 2015, in: RSC advances. 5, 124, S. 102318-102322, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance MicroscopyDoering, S., Wachowiak, A., Rochel, M., Nowak, C., Hoffmann, M., Winkler, U., Richter, M. & 3 weitere, 2015, in: Microelectronic Engineering. 142, S. 40-46Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Preparation and characterization of silicon nanowires using SEM/FIB and TEMBanerjee, S., Muehle, U., Löffler, M., Heinzig, A., Trommer, J. & Zschech, E., 2015, in: International journal of materials research : IJMR. 106, 7, S. 697-702, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
• Schottky barrier height engineering for next generation DRAM capacitorsCho, K., Pešić, M., Knebel, S., Jung, C., Chang, J., Lim, H., Kolomiiets, N. & 3 weitere, 2015, EUROSOI-ULIS 2015 - 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on SiliconElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband