Publikationen
668 Einträge
2013
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Impact of layer thickness on the ferroelectric behaviour of silicon doped hafnium oxide thin films, 2013, in: Thin solid films. 533, S. 88-92Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Improvement of Al2O3 Passivation by Ti-Doping, 2013, S. 1156-1161, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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Influence of frequency dependent time to breakdown on high-K/metal gate reliability, 2013, in: IEEE transactions on electron devices : ED. 60, 7, S. 2368-2371, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Inline-characterization and step coverage optimization of deposited dielectrics in DRAM structures, 2013, in: IEEE transactions on semiconductor manufacturing. 26, 2, S. 253-259, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Key concepts behind forming-free resistive switching incorporated with rectifying transport properties, 2013, in: Scientific reports. 3, 2208Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Millisecond flash lamp annealing for LaLuO3 and LaScO 3 high-k dielectrics, 2013, in: Microelectronic Engineering. 109, S. 381-384, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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New color sensor concept based on single spectral tunable photodiode, 2013, ESSDERC 2013 - Proceedings of the 43rd European Solid-State Device Research Conference. IEEE Computer Society, Washington , S. 127-130, 4 S., 6818835Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Performance investigation and optimization of Si:HfO2 FeFETs on a 28 nm bulk technology, 2013, S. 248-251, 4 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag zu Konferenzen > Paper
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Reconfigurable nanowire electronics - Device principles and circuit prospects, 2013, ESSDERC 2013 - Proceedings of the 43rd European Solid-State Device Research Conference. IEEE Computer Society, Washington , S. 246-251, 6 S., 6818865Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Reliability Characteristics of Ferroelectric Si: HfO2 Thin Films for Memory Applications, 2013, in: IEEE transactions on device and materials reliability. 13, 1, S. 93 - 97, 5 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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