Publikationen
668 Einträge
2024
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High Gain Graphene Based Hot Electron Transistor with Record High Saturated Output Current Density, Feb. 2024, in: Advanced electronic materials. 10, 2, 7 S., 2300624Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Insights Into Curie-Temperature and Phase Formation of Ferroelectric Hf1−xZrxO2 with Oxygen Defects from a Leveled Energy Landscape, 16 Jan. 2024, in: Advanced materials interfaces. 11, 2, 2300710Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Smart Design of Fermi Level Pinning in HfO2-Based Ferroelectric Memories, 15 Jan. 2024, in: Advanced functional materials. 34, 3, 16 S., 2307120Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Analysis and Compensation of the Series Resistance Effects on the Characteristics of Ferroelectric Capacitors, 2024, 2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Charge trapping challenges of CMOS embedded complementary FeFETs, 2024, 2024 IEEE International Memory Workshop, IMW 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Coincidence Detection with an Analog Spiking Neuron Exploiting Ferroelectric Polarization, 2024, ISCAS 2024 - IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Dynamic Reconfigurable Security Cells Based on Emerging Devices Integrable in FDSOI Technology, 2024, 2024 Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition, DATE 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 171-176Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Ferroelectric materials and their applications for next-generation integrated devices, 2024, 2024 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 1-4Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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HZO-based Nonvolatile SRAM Array with 100% Bit Recall Yield and Sufficient Retention Time at 85°C, 2024, 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, VLSI Technology and Circuits 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), S. 1-2Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten > Beitrag in Konferenzband
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Improving HfO2 Thick Films for SiC Power Devices by Si, Y and La Doping, 2024, in: Solid State Phenomena. 359(2024), S. 29-34, 6 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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