Halbleitermesstechnik
Referent: | |
Umfang: | 2 0 0 SWS |
Zeit: | Vorlesung: Dienstag, 2. DS |
Ort: | MIE 116 |
erste Vorlesung: | |
Hörer: | Diplom und Master |
Diese Vorlesung wird von der Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik angeboten. Sie ist Bestandteil des Moduls ET-12 12 05 "Charakterisierung von Mikrostrukturen".
Gegenstand der Lehrveranstaltung
Die Charakterisierung vonHalbleitermaterialien und –schichten sowie hergestellter Übergänge (Dotierungen, Kontakte) und Grenzflächen ist nicht nur unabdingbar für die Prozessüberwachung in der Mikroelektronik sondern auch Grundlage für die Beschreibung des Bauelementeverhaltens. Die Lehrveranstaltung stellt Verfahren zur Bestimmung von elektronischen Halbleiter- und Grenzflächeneigenschaften mit vorzugsweise elektrischen und fotoelektrischen Methoden vor. Schwerpunkt bilden Messungen an einfachen Substraten, Schichten und Schichtstapeln sowie typischen Messstrukturen. In diesem Zusammenhang werden Grundlagen der Halbleiterphysik wiederholt.
Inhalt
- Übersicht
- Bestimmung elektrischer und elektronischer Parameter von Substraten und Schichten
- Elektrische Leitfähigkeit
- Leitungstyp
- Ladungsträgerdichten
- Ladungsträgerbeweglichkeiten
- Ladungsträgerlebensdauern
- Partikel und Defekte
- Bestimmung von optische messbaren und von fotoelektrischen Halbleiterparametern
- Absorptionskoeffizient
- Bandlücke
- Fotoleitfähigkeit
- Bestimmung von Störstellenparametern
- mit optischer Absorptionsmessung
- mittels TSC
- mittels DLTS
- Bestimmung von Grenzflächeneigenschaften
- mittels SCHOTTKY-CV
- mittels SCHOTTKY-IV
- mittels KELVIN-Sonde
- mittels MOS-CV
- Elektrische Isolatorcharakterisierung
Die in der Vorlesung eingesetzten Folien finden Sie im OPAL.