Publikationen
Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
RSC Advances, www.rsc.org
Schlagwörter
NbO2 based memristors, memristor, physical model of threshold switching
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2015
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Url/Urn/Doi
DOI: 10.1039/C5RA19300A
Berichtsjahr
2015
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