Publikationen
History erase effect in a non-volatile memristor
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
IEEE Trans. Circuits and Systems-I: Reg. Papers
Schlagwörter
Device model, fading memory, nonlinear dynamics, tantalum oxide memristor
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2016
Band/Vol.
63
Heftnummer/Issue
3
Seiten
389-400
Referiert
Nein
Open Access
Ja
Url/Urn/Doi
10.1109/TCSI.2016.2525043
Berichtsjahr
2016
Export