Publikationen
On the Origin of the Fading Memory Effect in ReRAMs
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
27th International Symposium on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS)
Schlagwörter
Fading memory; ReRAM; resistive switching; memristor; switching dynamics
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2017
Referiert
Nein
Open Access
Ja
Url/Urn/Doi
10.1109/PATMOS.2017.8106963
Berichtsjahr
2017
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