Publikationen
677 Einträge
2026
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Wire resistance impact and compensation methods in analog switching 1R memristive crossbar arrays, Okt. 2026, in: Solid-state electronics. 236, 6 S., 109381Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Diffusion of contact metals in GaN/AlGaN stacks, 12 Mai 2026, in: Journal of applied physics. 139, 18, 6 S., 185707Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Readout Current in HZO-Based Bilayer FTJs: Physical Mechanisms and Design Insight, 1 Mai 2026, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 73, 5, S. 2723-2729, 7 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Efficient In-Hardware Matrix–Vector Multiplication and Addition Exploiting Bilinearity of Schottky Barrier Transistors Processed on Industrial FDSOI, 15 April 2026, in: Advanced electronic materialsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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A Compendium of Logic Gates Based on Reconfigurable Three-Independent-Gate Transistors Realized in FDSOI Hardware, 23 März 2026, in: Advanced electronic materialsElektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Technology Roadmap of Bioinspired Computing Hardware, 17 März 2026, in: ACS nano. 20, 10, S. 8102-8163, 62 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Übersichtsartikel (Review)
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Formation of a passivation layer via oxygen plasma oxidation for GaN-on-GaN regrowth, 12 März 2026, in: Thin solid films. 839, 5 S., 140910Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Junctionless Silicon Nanowire Transistors without the Use of Impurity Doping, 10 März 2026, in: ACS nano. 20, 9, S. 7508-7517, 10 S.Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Does a Morphotropic Phase Boundary Exist in ZrxHf1-xO2-Based Thin Films?, 5 März 2026, in: Advanced functional materials. 36, 19, 12 S., e22802Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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Reversible and Controllable Transition Between Filamentary and Interfacial Resistive Switching in HfO2-Based Memristors, 18 Feb. 2026, in: Advanced electronic materials. 12, 4, e00644Elektronische (Volltext-)VersionPublikation: Beitrag in Fachzeitschrift > Forschungsartikel
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