Publikationen der Professur für Halbleitertechnik
In-Situ Metrology for improved Atomic Layer Deposited TaN Properties by Supplying Additional Energy
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
Agent. Proc. AVS ALD Conf., San Francisco (US)
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2006
Band/Vol.
avail, online
Referiert
Nein
Url/Urn/Doi
http://
Berichtsjahr
2006
Export
Kategorien
Journal | Konferenzen | Bücher | Patente