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Towards high frequency heterojunction transistors: Electrical characterization of N-doped amorphous silicon-graphene diodes
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
Journal of Applied Physics 121
Schlagwörter
-
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2017
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Url/Urn/Doi
Berichtsjahr
2017
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