Veröffentlichte Konferenzbeiträge 161 bis 170 von 171 EinträgenAlbert, M.; Terasa, R.; Kuske, J.: VHF Linear Plasma Source for Large Area Deposition of Amorphous and Multicrystalline Silicon Solar Cells. In: 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, 6.-10.06.2005 (2005)Hübner, R.; Hecker, M.; Mattern, N.; Hoffmann, V.; Wetzig, K.; Heuer, H.; Wenzel, C.; Engelmann, H.j.; Zschech, E.: Degradation mechanism of thin Ta-Si-N diffusion barriers for Cu interconnects. In: Proceedings ICMAT 2005, 3.-8. Juli , Singapore (2005)Hellriegel, R.; Hintze, B.; Winzig, H.; Albert, M.; Bartha, J. W.: High Density ALD Titanium Nitride (TiN) layer etch using Argon/NF3/Cl2 Mixtures Utilizing a Remote Plasma Source (RPS) for ALD/CVD Chamber Clean Application. In: AVS 5th International Conference on Atomic Layer Deposition, San Jose, 8.-10.08.2005 (2005)Terasa, R.; Kottwitz, A.; Kuske, J.; Stephan, U.; Bartha, J. W.: PECVD of doped and intrinsic a-Si:H layers for solar cell structures using a novel inline deposition system. In: IEEE2005, Orlando, 01.-03.01.2005 (2005)Heuer, H.; Wenzel, C.: Barriere- und Schutzschichten auf TaSi Basis für Anwendungen in der Mikroelektronik, Sensor- und Solartechnik. In: 6. Wörlitzer Workshop Funktionelle Schichten – Dünne Schichten mit Barrierefunktion, 3. Juni 2005 (2005)Hübner, R.; Hoffmann, V.; Wetzig, K.; Heuer, H.; Wenzel, C.; Engelmann, H.-J.; Hecker, M.; Zschech, E.: Thermal behavior of graded Ta-Si / Ta-Si-N diffusion barriers for Cu interconnects. In: Proceed. Stress Workshop and 8th International Workshop on Stress-Induced Phenomena in Metallization 2005 Dresden, September 12–14, 2005 (2005)Hossbach, C.; Albert, M.; Adolphi, B.; Bartha, J. W.: Atomic Layer Deposition and Subsequent In Situ Annealing of Tantalum Nitride Thin Films. In: AVS 5th International Conference on Atomic Layer Deposition, San Jose, 8.-10.08.2005 (2005)Reitz, D.; Menzel, S.; Rößler, T.; Albert, M.; Zeidler, D.; Wetzig, K.: Analytical study of the structuring process for embedded SAW finger electrodes. In: 13. Tagung Festkörperanalytik, Chemnitz, 26.-29.06.2005 (2005)Albert, M.; Adolphi, B.; Bartha, J. W.; Krüger, H.; Kunath, C.; Sorge, S.: Hafnium Oxide for Optical Applications Deposited by Different CMOS Compatible Methods. In: Proceedings “Optics and Photonics” SPIE, San Diego, 30.07.-04.08.2005 (2005)Hübner, R.; Hecker, M.; Mattern, N.; Hoffmann, V.; Wetzig, K.; Heuer, H.; Wenzel, C.; Bartha, J. W.; Engelmann, H.-J,; Gehre, D.; Zschech, E.; Acker, J.: Thermal stability and degradation mechanisms of thin Ta-Si-N diffusion barriers for Cu interconnects. In: Proceed. Conference on Materials for Advanced Metallization (MAM) 2005 (2005)Zurück 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 WeiterDiese Informationen werden vom Vorgängersystem FIS bereitgestellt.