Veröffentlichte Konferenzbeiträge
Buried Triple-Gate Structures for InAs-Nanowire Field-Effect Transistor Devices
Typ der Veröffentlichung
Konferenzbeitrag
Veröffentlicht in
Materials Research Society (MRS) Fall Meeting & Exhibit 2013, Boston, Massachusetts, USA, December 1-6, 2013
Schlagwörter
-
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2013
Referiert
Ja
Open Access
Nein
Berichtsjahr
2013
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